14.12.201814.11.2018

Pnp мощные транзисторы – Универсальные мощные биполярные PNP транзисторы (PNP Power Bipolar Transistors) | Документация и описания электронных компонентов

• by alexxlab
• Комментариев к записи Pnp мощные транзисторы – Универсальные мощные биполярные PNP транзисторы (PNP Power Bipolar Transistors) | Документация и описания электронных компонентов нет
• Советы абитуриенту

Транзисторы [Амперка / Вики]

Транзистор — повсеместный и важный компонент в современной микроэлектронике. Его назначение простое: он позволяет с помощью слабого сигнала управлять гораздо более сильным.

В частноти, его можно использовать как управляемую «заслонку»: отсутствием сигнала на «воротах» блокировать течение тока, подачей — разрешать. Иными словами: это кнопка, которая нажимается не пальцем, а подачей напряжения. В цифровой электронике такое применение наиболее распространено.

Транзисторы выпускаются в различных корпусах: один и тот же транзистор может внешне выглядеть совершенно по разному. В прототипировании чаще остальных встречаются корпусы:

• TO-92 — компактный, для небольших нагрузок

• TO-220AB — массивный, хорошо рассеивающий тепло, для больших нагрузок

Обозначение на схемах также варьируется в зависимости от типа транзистора и стандарта обозначений, который использовался при составлении. Но вне зависимости от вариации, его символ остаётся узнаваемым.

Биполярные транзисторы

Биполярные транзисторы (BJT, Bipolar Junction Transistors) имеют три контакта:

• Коллектор (collector) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять

• База (base) — через неё подаётся небольшой ток, чтобы разблокировать большой; база заземляется, чтобы заблокировать его

• Эмиттер (emitter) — через него проходит ток с коллектора и базы, когда транзистор «открыт»

Основной характеристикой биполярного транзистора является показатель h_fe также известный, как gain. Он отражает во сколько раз больший ток по участку коллектор–эмиттер способен пропустить транзистор по отношению к току база–эмиттер.

Например, если h_fe = 100, и через базу проходит 0.1 мА, то транзистор пропустит через себя как максимум 10 мА. Если в этом случае на участке с большим током находится компонент, который потребляет, например 8 мА, ему будет предоставлено 8 мА, а у транзистора останется «запас». Если же имеется компонент, который потребляет 20 мА, ему будут предоставлены только максимальные 10 мА.

Также в документации к каждому транзистору указаны максимально допустимые напряжения и токи на контактах. Превышение этих величин ведёт к избыточному нагреву и сокращению службы, а сильное превышение может привести к разрушению.

NPN и PNP

Описанный выше транзистор — это так называемый NPN-транзистор. Называется он так из-за того, что состоит из трёх слоёв кремния, соединённых в порядке: Negative-Positive-Negative. Где negative — это сплав кремния, обладающий избытком отрицательных переносчиков заряда (n-doped), а positive — с избытком положительных (p-doped).

NPN более эффективны и распространены в промышленности.

PNP-транзисторы при обозначении отличаются направлением стрелки. Стрелка всегда указывает от P к N. PNP-транзисторы отличаются «перевёрнутым» поведением: ток не блокируется, когда база заземлена и блокируется, когда через неё идёт ток.

Полевые транзисторы

Полевые транзисторы (FET, Field Effect Transistor) имеют то же назначение, но отличаются внутренним устройством. Частным видом этих компонентов являются транзисторы MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Они позволяют оперировать гораздо большими мощностями при тех же размерах. А управление самой «заслонкой» осуществляется исключительно при помощи напряжения: ток через затвор, в отличие от биполярных транзисторов, не идёт.

Полевые транзисторы обладают тремя контактами:

• Сток (drain) — на него подаётся высокое напряжение, которым хочется управлять

• Затвор (gate) — на него подаётся напряжение, чтобы разрешить течение тока; затвор заземляется, чтобы заблокировать ток.

• Исток (source) — через него проходит ток со стока, когда транзистор «открыт»

N-Channel и P-Channel

По аналогии с биполярными транзисторами, полевые различаются полярностью. Выше был описан N-Channel транзистор. Они наиболее распространены.

P-Channel при обозначении отличается направлением стрелки и, опять же, обладает «перевёрнутым» поведением.

Подключение транзисторов для управления мощными компонентами

Типичной задачей микроконтроллера является включение и выключение определённого компонента схемы. Сам микроконтроллер обычно имеет скромные характеристики в отношении выдерживаемой мощности. Так Ардуино, при выдаваемых на контакт 5 В выдерживает ток в 40 мА. Мощные моторы или сверхъяркие светодиоды могут потреблять сотни миллиампер. При подключении таких нагрузок напрямую чип может быстро выйти из строя. Кроме того для работоспособности некоторых компонентов требуется напряжение большее, чем 5 В, а Ардуино с выходного контакта (digital output pin) больше 5 В не может выдать впринципе.

Зато, его с лёгкостью хватит для управления транзистором, который в свою очередь будет управлять большим током. Допустим, нам нужно подключить длинную светодиодную ленту, которая требует 12 В и при этом потребляет 100 мА:

Теперь при установке выхода в логическую единицу (high), поступающие на базу 5 В откроют транзистор и через ленту потечёт ток — она будет светиться. При установке выхода в логический ноль (low), база будет заземлена через микроконтроллер, а течение тока заблокированно.

Обратите внимание на токоограничивающий резистор R. Он необходим, чтобы при подаче управляющего напряжения не образовалось короткое замыкание по маршруту микроконтроллер — транзистор — земля. Главное — не превысить допустимый ток через контакт Ардуино в 40 мА, поэтому нужно использовать резистор номиналом не менее:

здесь U_d — это падение напряжения на самом транзисторе. Оно зависит от материала из которого он изготовлен и обычно составляет 0.3 – 0.6 В.

Но совершенно не обязательно держать ток на пределе допустимого. Необходимо лишь, чтобы показатель gain транзистора позволил управлять необходимым током. В нашем случае — это 100 мА. Допустим для используемого транзистора

h_fe = 100, тогда нам будет достаточно управляющего тока в 1 мА

Нам подойдёт резистор номиналом от 118 Ом до 4.7 кОм. Для устойчивой работы с одной стороны и небольшой нагрузки на чип с другой, 2.2 кОм — хороший выбор.

Если вместо биполярного транзистора использовать полевой, можно обойтись без резистора:

это связано с тем, что затвор в таких транзисторах управляется исключительно напряжением: ток на участке микроконтроллер — затвор — исток отсутствует. А благодаря своим высоким характеристикам схема с использованием MOSFET, позволяет управлять очень мощными компонентами.

wiki.amperka.ru

схема подключения. Какая разница между PNP и NPN-транзисторами? :: SYL.ru

PNP-транзистор является электронным прибором, в определенном смысле обратном NPN-транзистору. В этом типе конструкции транзистора его PN-переходы открываются напряжениями обратной полярности по отношению к NPN-типу. В условном обозначении прибора стрелка, которая также определяет вывод эмиттера, на этот раз указывает внутрь символа транзистора.

Конструкция прибора

Конструктивная схема транзистора PNP-типа состоит из двух областей полупроводникового материала p-типа по обе стороны от области материала n-типа, как показано на рисунке ниже.

Стрелка определяет эмиттер и общепринятое направление его тока (“внутрь” для транзистора PNP).

PNP-транзистор имеет очень схожие характеристики со своим NPN-биполярным собратом, за исключением того, что направления токов и полярности напряжений в нем обратные для любой из возможных трех схем включения: с общей базой, с общим эмиттером и с общим коллектором.

Основные отличия двух типов биполярных транзисторов

Главным различием между ними считается то, что дырки являются основными носителями тока для транзисторов PNP, NPN-транзисторы имеют в этом качестве электроны. Поэтому полярности напряжений, питающих транзистор, меняются на обратные, а его входной ток вытекает из базы. В отличие от этого, у NPN-транзистора ток базы втекает в нее, как показано ниже на схеме включения приборов обоих типов с общей базой и общим эмиттером.

Принцип работы транзистора PNP-типа основан на использовании небольшого (как и у NPN-типа) базового тока и отрицательного (в отличие от NPN-типа) базового напряжения смещения для управления гораздо большим эмиттерно-коллекторным током. Другими словами, для транзистора PNP эмиттер является более положительным по отношению к базе, а также по отношению к коллектору.

Рассмотрим отличия PNP-типа на схеме включения с общей базой

Действительно, из нее можно увидеть, что ток коллектора I_C (в случае транзистора NPN) вытекает из положительного полюса батареи B2, проходит по выводу коллектора, проникает внутрь него и должен далее выйти через вывод базы, чтобы вернуться к отрицательному полюсу батареи. Таким же образом, рассматривая цепь эмиттера, можно увидеть, как его ток от положительного полюса батареи B1 входит в транзистор по выводу базы и далее проникает в эмиттер.

По выводу базы, таким образом, проходит как ток коллектора I_C, так и ток эмиттера I_E. Поскольку они циркулируют по своим контурам в противоположных направлениях, то результирующий ток базы равен их разности и очень мал, так как I_C немного меньше, чем I_E. Но так как последний все же больше, то направление протекания разностного тока (тока базы) совпадает с I_E, и поэтому биполярный транзистор PNP-типа имеет вытекающий из базы ток, а NPN-типа – втекающий.

Отличия PNP-типа на примере схемы включения с общим эмиттером

В этой новой схеме PN-переход база-эмиттер открыт напряжением батареи B1, а переход коллектор-база смещен в обратном направлении посредством напряжения батареи В2. Вывод эмиттера, таким образом, является общим для цепей базы и коллектора.

Полный ток эмиттера задается суммой двух токов I_C и I_B; проходящих по выводу эмиттера в одном направлении. Таким образом, имеем I_E = I_C + I_B.

В этой схеме ток базы I_B просто «ответвляется» от тока эмиттера I_E, также совпадая с ним по направлению. При этом транзистор PNP-типа по-прежнему имеет вытекающий из базы ток I_B, а NPN-типа – втекающий.

В третьей из известных схем включения транзисторов, с общим коллектором, ситуация точно такая же. Поэтому мы ее не приводим в целях экономии места и времени читателей.

PNP-транзистор: подключение источников напряжения

Источник напряжения между базой и эмиттером (V_BE) подключается отрицательным полюсом к базе и положительным к эмиттеру, потому что работа PNP-транзистора происходит при отрицательном смещении базы по отношению к эмиттеру.

Напряжение питания эмиттера также положительно по отношению к коллектору (V_CE). Таким образом, у транзистора PNP-типа вывод эмиттера всегда более положителен по отношению как к базе, так и к коллектору.

Источники напряжения подключаются к PNP-транзистору, как показано на рисунке ниже. На этот раз коллектор подключен к напряжению питания V_CC через нагрузочный резистор, R_L, который ограничивает максимальный ток, протекающий через прибор. Базовое напряжения V_B, которое смещает ее в отрицательном направлении по отношению к эмиттеру, подано на нее через резистор R_B, который снова используется для ограничения максимального тока базы.

Работа PNP-транзисторного каскада

Итак, чтобы вызвать протекание базового тока в PNP-транзисторе, база должна быть более отрицательной, чем эмиттер (ток должен покинуть базу) примерно на 0,7 вольт для кремниевого прибора или на 0,3 вольта для германиевого. Формулы, используемые для расчета базового резистора, базового тока или тока коллектора такие же, как те, которые используются для эквивалентного NPN-транзистора и представлены ниже.

Мы видим, что фундаментальным различием между NPN и PNP-транзистором является правильное смещение pn-переходов, поскольку направления токов и полярности напряжений в них всегда противоположны. Таким образом, для приведенной выше схеме: I_C = I_E – I_B, так как ток должен вытекать из базы.

Как правило, PNP-транзистор можно заменить на NPN в большинстве электронных схем, разница лишь в полярности напряжения и направлении тока. Такие транзисторы также могут быть использованы в качестве переключающих устройств, и пример ключа на PNP-транзисторе показан ниже.

Характеристики транзистора

Выходные характеристики транзистора PNP-типа очень похожи на соответствующие кривые эквивалентного NPN-транзистора, за исключением того, что они повернуты на 180° с учетом реверса полярности напряжений и токов (токи базы и коллектора, PNP-транзистора отрицательны). Точно также, чтобы найти рабочие точки транзистора PNP-типа, его динамическая линия нагрузки может быть изображена в III-й четверти декартовой системы координат.

Типовые характеристики PNP-транзистора 2N3906 показаны на рисунке ниже.

Транзисторные пары в усилительных каскадах

Вы можете задаться вопросом, что за причина использовать PNP-транзисторы, когда есть много доступных NPN-транзисторов, которые могут быть использованы в качестве усилителей или твердотельных коммутаторов? Однако наличие двух различных типов транзисторов – NPN и PNP – дает большие преимущества при проектировании схем усилителей мощности. Такие усилители используют “комплементарные”, или “согласованные” пары транзисторов (представляющие собой один PNP-транзистор и один NPN, соединенные вместе, как показано на рис. ниже) в выходном каскаде.

Два соответствующих NPN и PNP-транзистора с близкими характеристиками, идентичными друг другу, называются комплементарными. Например, TIP3055 (NPN-тип) и TIP2955 (PNP-тип) являются хорошим примером комплементарных кремниевых силовых транзисторов. Они оба имеют коэффициент усиления постоянного тока β=I_C/I_B согласованный в пределах 10% и большой ток коллектора около 15А, что делает их идеальными для устройств управления двигателями или роботизированных приложений.

Кроме того, усилители класса B используют согласованные пары транзисторов и в своих выходной мощных каскадах. В них NPN-транзистор проводит только положительную полуволну сигнала, а PNP-транзистор – только его отрицательную половину.

Это позволяет усилителю проводить требуемую мощность через громкоговоритель в обоих направлениях при заданной номинальной мощности и импедансе. В результате выходной ток, который обычно бывает порядка нескольких ампер, равномерно распределяется между двумя комплементарными транзисторами.

Транзисторные пары в схемах управления электродвигателями

Их применяют также в H-мостовых цепях управления реверсивными двигателями постоянного тока, позволяющих регулировать ток через двигатель равномерно в обоих направлениях его вращения.

H-мостовая цепь выше называется так потому, что базовая конфигурация ее четырех переключателей на транзисторах напоминает букву «H» с двигателем, расположенным на поперечной линии. Транзисторный H-мост, вероятно, является одним из наиболее часто используемых типов схемы управления реверсивным двигателем постоянного тока. Он использует «взаимодополняющие» пары транзисторов NPN- и PNP-типов в каждой ветви, работающих в качестве ключей при управлении двигателем.

Вход управления A обеспечивает работу мотора в одном направлении, в то время как вход B используется для обратного вращения.

Например, когда транзистор TR1 включен, а TR2 выключен, вход A подключен к напряжению питания (+ Vcc), и если транзистор TR3 выключен, а TR4 включен, то вход B подключен к 0 вольт (GND). Поэтому двигатель будет вращаться в одном направлении, соответствующем положительному потенциалу входа A и отрицательному входа B.

Если состояния ключей изменить так, чтобы TR1 был выключен, TR2 включен, TR3 включен, а TR4 выключен, ток двигателя будет протекать в противоположном направлении, что повлечет его реверсирование.

Используя противоположные уровни логической «1» или «0» на входах A и B, можно управлять направлением вращения мотора.

Определение типа транзисторов

Любые биполярные транзисторы можно представить состоящими в основном из двух диодов, соединенных вместе спина к спине.

Мы можем использовать эту аналогию, чтобы определить, относится ли транзистор к типу PNP или NPN путем тестирования его сопротивления между его тремя выводами. Тестируя каждую их пару в обоих направлениях с помощью мультиметра, после шести измерений получим следующий результат:

1. Эмиттер – База. Эти выводы должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

2. Коллектор – База. Эти выводы также должны действовать как обычный диод и проводить ток только в одном направлении.

3. Эмиттер – Коллектор. Эти выводы не должен проводить в любом направлении.

Значения сопротивлений переходов транзисторов обоих типов

Пара выводов транзистора		PNP	NPN
Коллектор	Эмиттер	RВЫСОКОЕ	RВЫСОКОЕ
Коллектор	База	RНИЗКОЕ	RВЫСОКОЕ
Эмиттер	Коллектор	RВЫСОКОЕ	RВЫСОКОЕ
Эмиттер	База	RНИЗКОЕ	RВЫСОКОЕ
База	Коллектор	RВЫСОКОЕ	RНИЗКОЕ
База	Эмиттер	RВЫСОКОЕ	RНИЗКОЕ

Тогда мы можем определить PNP-транзистор как исправный и закрытый. Небольшой выходной ток и отрицательное напряжение на его базе (B) по отношению к его эмиттеру (E) будет его открывать и позволит протекать значительно большему эмиттер-коллекторному току. Транзисторы PNP проводят при положительном потенциале эмиттера. Иными словами, биполярный PNP-транзистор будет проводить только в том случае, если выводы базы и коллектором являются отрицательным по отношению к эмиттеру.

www.syl.ru

, f rp > 300

,
, n n
, n

P – N

– n , n –
– n , n –
– n , –
– n , –

NPN , 1

PNP

NPN

,
,
,
,
,
,
n n
n n
, n ,
, n

PNP

( – )

, n – ,
,
, n – ,
, n – , ,
, n – , , 2
, n – ,
, n – , ,
, n – , ,
, – , , 2
, – ,
, – , ,
, n –
, –

МОЩНЫЕ ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN , РАССЕИВАЕМАЯ МОЩНОСТЬ 1 Ватт И БОЛЕЕ

МОЩНЫЕ ГЕРМАНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP

СБОРКИ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ

ТРАНЗИСТОРОВ

Сборки мощных транзисторов , биполярные комплементарные пары

Сборки мощных транзисторов , биполярные мостовые схемы
Сборки мощных транзирторов , биполярные полумостовые схемы
Сборки мощных транзисторов , независимые биполярные
Сборки мощных транзисторов , биполярные трехфазные мостовые схемы
Сборки мощных транзисторов , составные мостовые схемы
Сборки мощных транзисторов , составные полумостовые схемы
Сборки мощных транзисторов , составные независимые
Сборки мощных транзисторов , составные трехфазные полумостовые схемы
Сборки мощных транзисторов , полевые ( МОП ) – биполярные мостовые схемы
Сборки мощных транзисторов , полевые ( МОП ) – биполярные полумостовые схемы
Сборки мощных транзисторов , полевые ( МОП ) – биполярные независимые

СБОРКИ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ МОП –

ТРАНЗИСТОРОВ

Сборки мощных полевых МОП – транзисторов , мостовые схемы
Сборки мощных полевых МОП – транзисторов , мостовые схемы , комплементарные
Сборки мощных полевых МОП – транзисторов , полумостовые схемы
Сборки мощных полевых МОП – транзисторов , независимые
Сборки мощных полевых МОП – транзисторов , независимые с диодами
Сборки мощных полевых МОП – транзисторов , трехфазные мостовые схемы
Сборки мощных полевых МОП – транзисторов , трехфазные мостовые схемы , комплементарные

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СВЧ

Полевые транзисторы СВЧ , n – канал
Полевые транзисторы СВЧ с р – n переходом , n – канал
Полевые транзисторы СВЧ с изолированным затвором , n – канал
Полевые транзисторы СВЧ c изолированным затвором , n – канал , 2 затвора
Полевые транзисторы СВЧ , изолированный затвор , р – канал
Полевые транзисторы СВЧ , изолированный затвор , n – канал

Полевые транзисторы СВЧ , изолированный затвор , р – канал

МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN

МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ NPN МАЛОЙ МОЩНОСТИ

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ PNP МАЛОЙ МОЩНОСТИ

МОЩНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ВЧ ТРАНЗИСТОРЫ NPN

Мощные кремниевые транзисторы ВЧ , n р n

Мощные кремниевые транзисторы ВЧ , n р n , согласованные пары

ТРАНЗИСТОРЫ СВЧ

Транзисторы СВЧ , биполярные , n р n
Транзисторы СВЧ , биполярные , n р n , дифференциальные пары
Транзисторы СВЧ , биполярные , р n р

ГРАФИЧЕСКИЕ РИСУНКИ КОРПУСОВ ТРАНЗИСТОРОВ

Подпишитесь на рассылку новостей нашего сайта, что бы своевременно узнать о новых .
			: Deposit files	:	WinRAR

 

 

pryriz.org.ua

МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только основные параметры – предельное напряжение стока, ток, рассеиваемая мощность и сопротивление открытого перехода сток-исток. Для более подробной информации, скопируйте название транзистора в поле ДАТАШИТ – справа сверху страницы и скачайте PDF файл с описанием. Полевые транзисторы мощные часто применяются в стабилизаторах напряжения и тока, выходных каскадах усилителей мощности, ключах зарядных устройств и преобразователей. МОЩНЫЕ ИМПОРТНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ   Марка Напряжение, B Сопротивление перехода, Ом Ток стока, A Мощность, Вт Корпус     1 2 3 4 5 6     STH60N0SFI 50 0,023 40,0 65 ISOWATT218     STVHD90FI 50 0,023 30,0 40 ISOWATT220     STVHD90 50 0,023 52,0 125 ТО-220     STH60N05 50 0,023 60,0 150 ТО-218     IRFZ40 50 0,028 35.0 125 ТО-220     BUZ15 50 0.03 45,0 125 ТО-3     SGSP592 50 0,033 40,0 150 ТО-3     SGSP492 50 0.033 40,0 150 ТО-218     IRFZ42FI 50 0,035 24,0 40 ISOWATT220     IRFZ42 50 0,035 35,0 125 ТО-220     BUZ11FI 50 0,04 20,0 35 ISOWATT220     BUZ11 50 0,04 30,0 75 ТО-220     BUZ14 50 0,04 39,0 125 ТО-3     BUZ11A 50 0,06 25,0 75 ТО-220     SGSP382 50 0.06 28,0 100 ТО-220     SGSР482 50 0.06 30.0 125 ТО-218     BUZ10 50 0.08 20.0 70 ТО-220     BUZ71FI 50 0,10 12,0 30 ISOWATT220     IRF20FI 50 0,10 12,5 30 ISOWATT220     BUZ71 50 6,10 14,0 40 ТО-220     IRFZ20 50 0,10 15.0 40 ТО-220     BUZ71AFI 50 0,12 11,0 30 ISOWATT220     IRFZ22FI 50 0,12 12,0 30 ISOWATT220     BUZ71A 50 0,12 13,0 40 ТО-220     IRFZ22 50 0,12 14,0 40 ТО-220     BUZ10A 50 0,12 17,0 75 ТО-220     SGSP322 50 0,13 16,0 75 ТО-220     SGSP358 50 0.30 7,0 50 ТО-220     MTh50N06FI 60 0,028 26,0 65 ISOWATT218     MTh50N06 60 0,028 40,0 150 ТО-218     SGSP591 60 0,033 40,0 150 ТО-3     SGSP491 60 0,033 40,0 150 ТО-218     BUZ11S2FI 60 0,04 20,0 35 ISOWATT220     BUZ11S2 60 0,04 30,0 75 ТО-220     IRFP151FI 60 0,055 26,0 65 ISOWATT218     IRF151 60 0.055 40,0 150 ТО-3     IRFP151 60 0.055 40,0 150 ТО-218     SGSP381 60 0,06 28,0 100 ТО-220     SGSP481 60 0.06 30.0 125 ТО-218     IRFP153FI 60 0,08 21,0 65 ISOWATT218     IRF153 60 0,08 33,0 150 ТО-3     IRFP153 60 0,08 34.0 150 ТО-218     SGSP321 60 0,13 16,0 75 ТО-220     MTP3055EFI 60 0,15 10,0 30 ISOWATT220     МТР3055Е 60 0,15 12.0 40 ТО-220     IRF521FI 80 0,27 7,0 30 ISOWATT220     IRF521 80 0.27 9,2 60 ТО-220     IRF523FI 80 036 6,0 30 ISOWATT220     IRF523 80 0.36 8,0 60 ТО-220     SGSP472 80 0,05 35.0 150 ТО-218     IRF541 80 0,077 15,0 40 ISOWATT220     IRF141 80 0.077 28,0 125 ТО-3     IRF541 80 0.077 28,0 125 ТО-220     IRF543F1 80 0,10 14,0 40 SOWATT220     SGSP362 80 0,10 22.0 100 ТО-220     IRF143 80 0,10 25,0 125 ТО-3     SGSР462 80 0.10 25,0 125 ТО-218     IRF543 80 0,10 25.0 125 О-220     IRF531FI 80 0.16 9,0 35 SOWATT220     IRF531 80 0.16 14,0 79 О-220     IRF533FI 80 0,23 8,0 35 ISOWATT220     IRF533 80 0,23 12.0 79 ТО-220     IRF511 80 0,54 5.6 43 ТО-220     IRF513 80 0,74 4,9 43 ТО-220     IRFP150FI 100 0,055 26,0 65 ISOWATT218     IRF150 100 0,055 40,0 150 ТО-3     IRFP150 100 0,055 40,0 150 ТО-218     BUZ24 100 0,6 32,0 125 ТО-3     IRF540FI 100 0,077 15,0 40 ISOWATT220     IRF140 100 0,077 28,0 125 ТО-3     IRF540 100 0,077 28,0 125 ТО-220     SGSP471 100 0,075 30,0 150 ТО-218     IRFP152FI 100 0,08 21,0 65 ISOWATT218     IRF152 100 0,08 33,0 150 ТО-3     IRFP152 100 0,08 34.0 150 ТО-218     IRF542FI 100 0,10 14,0 40 ISOWATT220     BUZ21 100 0,10 19.0 75 ТО-220     BUZ25 100 0,10 19.0 78 ТО-3     IRF142 100 0,10 25,0 125 ТО-3     IRF542 100′ 0,10 25,0 125 ТО-220     SGSP361 100 0,15 18,0 100 ТО-220     SGSP461 100 0,15 20.0 125 ТО-218     IRF530FI 100 0,16 9,0 35 ISOWATT220     IRF530 100 0,16 14.0 79 ТО-220     BUZ20 100 0,20 12.0 75 ТО-220     IRF532FI 100 0.23 8.0 35 ISOWATT220     IRF532 100 0,23 12,0 79 ТО-220     BUZ72A 100 0,25 9,0 40 ТО-220     IRF520FI 100 0.27 7,0 30 ISOWATT220     IRF520 100 0,27 9,2 60 ТО-220     SGSP311 100 0,30 11.0 75 ТО-220     IRF522FI 100 0,36 6.0 30 ISOWATT220     IRF522 100 0,36 8,0 60 ТО-220     IRF510 100 0,54 5,6 43 ТО-220     SGSP351 100 0,60 6,0 50 ТО-220     IRF512 100 0,74 4,9 43 ТО-220     SGSP301 100 1,40 2,5 18 ТО-220     IRF621FI 160 0,80 4.0 30 ISOWATT220     IRF621 150 0,80 5,0 40 ТО-220     IRF623FI 150 1,20 3,5 30 ISOWATT220     IRF623 150 1.20 4.0 40 ТО-220     STh43N20FI 200 0.085 20.0 70 ISOWATT220     SGSP577 200 0,17 20,0 150 ТО-3     SGSP477 200 0,17 20,0 150 ТО-218     8UZ34 200 0,20 19,0 150 ТО-3     SGSP367 200 0,33 12,0 100 ТО-220     BUZ32 200 0,40 9,5 75 ТО-220     SGSP317 200 0,75 6,0 75 ТО-220     IRF620FI 200 0,80 4,0 30 ISOWATT220     IRF620 200 0,80 5,0 40 ТО220     IRF622FI 200 1.20 3,5 30 ISOWATT220     IRF622 200 1.20 4,0 40 ТО-220     IRF741FI 350 0.55 5,5 40 ISOWATT220     IRF741 350 0,55 10,0 125 ТО-220     IRF743 350 0.80 8,3 125 ТО-220     IRF731FI 350 1,00 3,5 35 ISOWATT220     IRF731 350 1,00 5,5 75 ТО-220     IRF733FI 350 1,50 3,0 35 ISOWATT220     IRF733 350 1,50 4.5 75 ТО-220     IRF721FI 350 1,80 2.5 30 ISOWATT220     IRF721 350 1,80 3.3 50 ТО-220                     IRF723FI 350 2,50 2,0 30 ISOWATT220     IRF723 350 2,50 2,8 50 ТО-220     IRFP350FI 400 0,30 10,0 70 ISOWATT218     IRF350 400 0,30 15,0 150 ТО-3     IRFP350 400 0,30 16,0 180 ТО-218     IRF740FI 400 0,55 5,5 40 ISOWATT220     IRF740 400 0,55 10,0 125 ТО-220     SGSP475 400 0,55 10,0 150 ТО-218     IRF742FI 400 0,80 4,5 40 ISOWATT220     IRF742 400 0,80 8,3 125 ТО-220     IRF730FI 400 1,00 3,5 35 ISOWATT220     BUZ60 400 1,00 5,5 75 ТО-220     IRF730 400 1,00 5,5 75 ТО-220     IRF732FI 400 1,50 3,0 35 ISOWATT220     BUZ60B 400 1,50 4,5 75 ТО-220     IRF732 400 1,50 4,5 75 ТО-220     IRF720FI 400 1,80 2,5 30 ISOWATT220     BUZ76 400 1,80 3,0 40 ТО-220     IRF720 400 1,80 3,3 50 ТО-220     IRF722FI 400 2,50 2,0 30 ISOWATT220     BUZ76A 400 2,50 2,6 40 ТО-220     IRF722 400 2,50 2,8 50 ТО-220     SGSP341 400 20,0 0,6 18 ТО-220     IRFP451FI 450 0,40 9,0 70 ISOWATT218     IRF451 450 0,40 13,0 150 ТО-3     IRFP451 450 0,40 14,0 180 ТО-218     IRFP453FI 450 0,50 8,0 70 ISOWATT218     IRF453 450 0,50 11,0 150 ТО-3     IRFP453 450 0,50 12,0 180 ТО-218     SGSP474 450 0,70 9,0 150 ТО-218     IRF841FI 450 0,85 4,5 40 ISOWATT220     IF841 450 0.85 8,0 125 ТО-220     IRFP441FI 450 0,85 5,5 60 ISOWATT218     IRF843FI 450 1,10 4,0 40 ISOWATT220     IRF843 450 1,10 7,0 125 ТО-220     IRF831FI 450 1,50 3,0 35 ISOWATT220     IRF831 450 1,50 4,5 75 ТО-220     SGSP364 450 1,50 5,0 100 ТО-220     IRF833FI 450 2,00 2,5 35 ISOWATT220     IRF833 450 2,00 4,0 75 Т0220     IRF821FI 450 3,00 2,0 30 ISOWATT220     IRF821 450 3,00 2,5 50 ТО-220     SGSP330 450 3,00 3,0 75 ТО-220     IRF823FI 450 4,00 1.5 30 ISOWATT220     IRF823 450 4,00 2,2 50 ТО-220     IRFP450FI 500 0,40 9,0 70 ISOWATT218     IRF450 500 0,40 13,0 150 ТО-3     IRFP450 500 0,40 14,0 180 ТО-218     IRFP452FI 500 0,50 8,0 70 ISOWATT218     IRF452 500 0,50 11,0 150 ТО-3     IRFP4S2 500 0,50 12,0 180 ТО-218     BUZ353 500 0,60 9,5 125 ТО-218     BUZ45 500 0,60 9,6 125 ТО-3     SGSP579 500 0,70 9,0 150 ТО-3     SGSP479 500 0,70 9.0 150 TO-218     BU2354 500 0,80 8,0 125 TO-218     BUZ45A 500 0,80 8,3 125 TO-3     IRF840FI 500 0,85 4,5 40 ISOWATT220     IRF840 500 0,85 8,0 125 TO-220     IRFP440FI 500 0,85 5,5 60 ISOWATT218     IRF842FI 500 1,10 4,0 40 ISOWATT220     IRF842 500 1.10 7,0 125 TO-220     IRF830FI 500 1,50 3,0 35 ISOWATT220     BUZ41A 500 1,50 4,5 75 TO-220     IRF830 500 1,50 4,5 75 TO-220     SGSP369 500 1,50 5,0 100 TO-220     IRF832FI 500 2,00 2,5 35 ISOWATT220     BUZ42 500 2,00 4,0 75 TO-220     IRF832 500 2,00 4,0 75 TO-220     IRF820FI 500 3,00 2,0 30 ISOWATT220     BUZ74 500 3,00 2,4 40 TO-220     IRF820 500 3,00 2,5 50 TO-220     SGSP319 500 3,80 2,8 75 TO-220     IRF322FI 500 4,00 1,5 30 ISOWATT220     BUZ74A 500 4,00 2,0 40 TO-220     IRF822 500 4,00 2,2 50 TO-220     SGSP368 550 2,50 5,0 100 TO-220     MTH6N60FI 600 1,20 3.5 40 ISOWATT218     MTP6N60FI 600 1,20 6,0 125 ISOWATT220     MTP3N60FI 600 .2,50 2,5 35 I30WATT220     MTP3N60 600 2,50 3,0 75 TO-220     STH9N80FI 800 1,00 . 5,6 70 ISOWATT218     STH9N80 800 1,00 9,0 180 TO-218     STH8N80FI 800 1,20 5,0 70 ISOWATT218     STH8N80 800 1,20 8.0 180 TO-218     STHV82FI 800 2,00 3,5 65 ISOWATT218     STHV82 800 2,00 5,5 125 TO-218     BUZ80AFI 800 3,00 2,4 40 ISOWATT220     BUZ80A 800 3,00 3,8 100 TO-220     BUZ80FI 800 4,00 2,0 35 ISOWATT220     BUZ80 800 4,00 2,6 75 TO-220     STH6N100FI 1000 2,00 3,7 70 ISOWATT218     STH6N100 1000 2,00 6,0 180 TO-218     STHV102FI 1000 3,50 3,0 65 ISOWATT218     STHV102 1000 3,50 4,2 125 TO-218     SGS100MA010D1 100 0,014 50 120 TO-240     SGS150MA010D1 100 0,009 75 150 TO-240     SGS30MA050D1 500 0,20 15 30 TO-240     SGS35MA050D1 500 0,16 17,5 35 TO-240     TSD200N05V 50 0,006 200 600 Isotop     TSD4M150V 100 0,014 70 135 Isotop     TSD4M251V 150 0,021 70 110 Isotop     TSD4M250V 200 0,021 60 110 Isotop     TSD4M351V 350 0,075 30 50 Isotop     TSD4M350V 400 0,075 30 50 Isotop     TSD4M451V 450 0,1 28 45 Isotop     TSD2M450V 500 0,2 26 100 Isotop     TSD4M450V 500 0,1 28 45 Isotop     TSD22N80V 800 0,4 22 77 Isotop     TSD5MG40V 1000 0,7 9 17 Isotop ОБОЗНАЧЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ    Проверку полевого транзистора на исправность можно проводить мультиметром в режиме тестирования P-N переходов диодов. Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно прямому напряжению на P-N переходе в милливольтах. У исправного транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Но в некоторых современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому бывает, что канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод. Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к стоку (D), красным (положительным) – к истоку (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 – 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом затвора (G) и опять возвращаем его на исток (S). Мультиметр показывает 0 мВ, причём при любой полярности приложенного напряжения – полевой транзистор открылся прикосновением. Если теперь черным щупом коснуться затвора (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на сток (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов.    Справочники радиодеталей

elwo.ru

Транзисторы старых типов: pogorily

Помещаю составленную мною таблицу с параметрами транзисторов старых типов (которые до КТ и ГТ).
Размещение ее на интернет-сайтах разрешаю с указанием, что составитель – Погорилый А.И. http://pogorily.livejournal.com/
И желательно с оповещением меня об этом в комментах.

Ну и, конечно, уточнения и дополнения приветствуются.
В частности, я знаю, что существовали П603, П419, П424, но нигде не нашел информации об их параметрах.

Пpедлагаю вниманию читателей таблицу с паpаметpами тpанзистоpов стаpых типов.
Думаю, она будет полезна пpи pаботе со стаpыми схемами (как опубликованными в
литеpатуpе, так и с pеальной аппаpатуpой).

1. Точечные тpанзистоpы. Истоpически пеpвый тип тpанзистоpов. Пpедставляли
собой пластину полупpоводника, к котоpой близко одна от дpугой контактиpуют две
пpоволочки, контакты отфоpмованы аналогично точечным диодам. Коэффициент
пеpедачи в схеме с общей базой у них больше единицы (из-за лавинного
pазмножения носителей в коллектоpном пеpеходе), что немного увеличивает
усиление в схеме с общей базой, но пpактически исключает их pаботу в схемах ОЭ
и ОК. Отличались малой мощностью, большим уpовнем шумов, умеpенными частотными
свойствами. Пpосуществовали недолго.
А – коэффициент усиления с общей базой.
Fmax – максимальная частота (усиления или генеpации) в мегагеpцах.
Kp – коэфф. усиления по мощности.
Токи в миллиампеpах, напpяжения в вольтах, мощности в милливаттах.
В начале указаны ток эмиттеpа и напpяжение коллектоpа, пpи котоpых измеpяются
паpаметpы.
Точечные тpанзистоpы – все геpманиевые PNP.
1.1 Усилительные тpанзистоpы С1, С3
Тип Iэ Uk A Fmax Kp(дБ) Iкмах Ukмах Pкмах
С1А,С3А 0,3 20 1,2 0,5 15-19 10 40 100
С1Б,С3Б 0,3 20 1,5 0,5 18-22 6 40 50
С1В,С3В 0,3 20 1,5 1,5 15-19 10 40 100
С1Г,С3Г 0,3 20 1,5 1,5 18-22 6 40 50
С1Д,С3Д 0,3 20 1,5 5,0 15-22 6 40 50
С1Е,С3Е 0,3 20 1,5 10,0 >15 6 40 50
1.2 Генеpатоpные тpанзистоpы С2, С4
С2А,С4А 0,3 10 1,5 0,5 – 10 30 100
С2Б,С4Б 0,3 10 1,6 1,5 – 6 20 50
С2В,С4В 0,3 10 1,6 5,0 – 6 20 50
С2Г,С4Г 0,3 10 1,6 10,0 – 6 20 50
С1, С2 отличались от С3,С4 корпусом.
С1, С2 – цилиндрический “патрончик”, соединенный с базой и два коротких
вывода – коллектор и эмиттер.
С3, С4 – корпус как у П6 или П13-П15.

2. Плоскостные тpанзистоpы. Это и есть биполяpы совpеменного, известного всем
вида. Выполнялись по нескольким технологиям.
Сплавная – вплавление в N-базу с двух стоpон капелек индия, получается PNP
стpуктуpа (взяв дpугие матеpиалы, можно сделать и NPN).
Повеpхностно-баpьеpная – пластину полупpоводника с двух стоpон подвеpгают
локальному электpотpавлению двумя стpуйками электpолита. Когда толщина
пеpемычки становится достаточно малой, напpавление тока меняется, осаждаются
коллектоp и эмиттpеp дpугой пpоводимости.
Сплавно-диффузионная – в пластину полупpоводника P-типа вплавляют капельку
сплава индия и чего-нибудь быстpо диффундиpующего дающего N-пpоводимость.
Получается сплавной эмиттеp, а под ним диффузионная тонкая база.
Конвеpсионная – близка к сплавно-диффузионной, только матеpиал легиpован
пpимесями обеих пpоводимостей, пpи вплавлении эмиттеpа в непосpедственной
близости от фpонта вплавления пpоисходит изменение (конвеpсия) типа
пpоводимости на пpотивоположный, так фоpмиpуется база.
Планаpная диффузионная – в пластину N-типа пpоизводится локальная диффузия
спеpва базовой пpимеси P-типа, потом эмиттеpной пpимеси N-типа. (Возможны и
дpугие типы пpимесей, что дает PNP тpанзистоp).

Далее B – коэффициент усиления в схеме тока базы.

Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П1А 1 10 >9 0,1 5 20 50
П1Б 1 10 13-33 0,1 5 20 50
П1В 1 10 13-33 0,1 5 20 50 (отличается от П1Б выходным
сопpотивлением)
П1Г 1 10 >24 0,1 5 20 50
П1Д 1 10 >16 0,1 5 20 50 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
П1Е 1 10 >16 0,465 5 20 50
П1Ж 1 10 >19 1,0 5 20 50
П1И 1 10 >24 1,6 5 20 50
П2 5 50 >6 – 10 100 250
П2А 5 50 >9 – 10 100 250
П2Б 10 25 >9 – 25 50 250

Далее идут германиевые мощные сплавные PNP транзисторы П3 и П4, для них токи в
ампеpах, мощность (с теплоотводом) в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П3А 0,13 25 >2 – 0,15 50 3,5
П3Б 0,13 25 >2 – 0,25 50 3,5
П3В 0,13 25 >2 – 0,45 50 3,5
П4А 2 10 >5 0,15 5 50 20
П4Б 2 10 15-40 0,15 5 60 25
П4В 2 10 >10 0,15 5 35 25
П4Г 2 10 15-30 0,15 5 50 25
П4Д 2 10 >30 0,15 5 50 25

Транзисторы П1-П3 давно, в конце 50-х годов сняты с производства. Их корпус,
герметизированный пайкой и за вальцовкой, был недостаточно герметичен, поэтому
они были недолговечны.
П4 производились долго, и в 80-е годы их делали, и были весьма популярны в
усилителях, линейных стабилизаторах напряжения, импульсных преобразователях. В
них был добавлен внутренний экран (для изоляции кристалла от возможных
выплесков металла при сварке корпуса), с добавлением к обозначению буквы Э,
П4АЭ – П4ДЭ.

Маломощные германиевые транзисторы PNP. Токи в миллиамперах, мощность в
милливаттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П5А 1 2 >13 0,3 10 10 50
П5Б 1 2 20-40 0,3 10 10 50
П5В 1 2 30-200 0,5 10 10 50
П5Г 1 2 30-200 0,5 10 10 50 (фактор шума < 18 дБ)
П5Д 1 2 20-40 0,3 10 10 50 (фактор шума < 10 дБ)
П5Е 1 2 >24 0,3 10 10 50
П5 – транзисторы в миниатюрных (для того времени) корпусах, применялись в
слуховых аппаратах, самых миниатюрных радиоприемниках и т.п.
Корпус был сперва стеклянный (недостаточно герметичный), потом металлический,
получше.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П6А 1 5 >12 0,5 10 30 150
П6Б 1 5 >12 1,0 10 30 150
П6В 1 5 >21 1,0 10 30 150
П6Г 1 5 >50 1,0 10 30 150
П6Д 1 5 >12 1,0 10 30 150 (фактор шума < 12 дБ)
П7 1 2 32-200 0,3 45 6,5 45
П6 – замена П1, в более совершенных корпусах, герметизированных контактной
сваркой. Просуществовали недолго, были заменены на П13-П15 в таких же корпусах.
П7 – в таком же корпусе, что и П5. Производился недолго, распространения не
получил.

Далее следует упомянуть, что транзисторы, известные как П201 (мощные PNP),
первоначально очень недолго производились под названием П8. Потом название П8
относилось к маломощному NPN транзистору.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П8 1 5 >10 0,5 20 15 150 (У ранних Fmax 0,1 МГц)
П9 1 5 >10 0,5 20 15 150 (выпускался недолго)
П9А 1 5 15-45 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 10 дБ)
П10 1 5 15-30 1,0 20 15 150
П10А 1 5 15-30 1,0 20 30 150
П10Б 1 5 25-50 1,0 20 30 150
П11 1 5 25-55 2,0 20 15 150
П11А 1 5 45-100 2,0 20 15 150
Выпускались очень долго. Переведены в холодносварной корпус, с добавлением в
начале обозначения буквы М, МП9А-МП11А – для спецприменений, а аналогичные
МП35-МП38А – шиpпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П8-П11А.

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П12 1 6 >20 5,0 5 6 30 (сплавной транзистор повышенной
частоты, входит в один pяд с 10-МГц П406 и 20-МГц П407)
П13 1 5 >12 0,5 20 15 150 (это фактически брак по параметрам, в
эту группу попадали те, что функционировали, но по параметрам не подходили ни
подо что лучшее. В основном – со слишком толстой базой, из-за чего малые Fmax и
В. Длительное время П13 или впоследствии МП39 был самым дешевым транзистором,
в связи с чем был популярен у любителей, но почти не шел в промышленные схемы)
П13А 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (был популярен, но выпускался недолго,
с совершенствованием технологии практически у всех транзисторов с B>20 Fmax
стала больше 1 МГц, и вместо П13А такие транзисторы стали маркировать П14)
П13Б 1 5 20-60 1,0 20 15 150 (малошумящий, фактор шума 12 дБ)
П14 1 5 20-40 1,0 20 15 150
П14А 1 5 20-40 1,0 20 30 150
П14Б 1 5 30-60 1,0 20 30 150
П15 1 5 30-60 2,0 20 15 150
П15А 1 5 50-100 2,0 20 15 150
П13-П15А выпускались очень долго. Пеpеведены в холодносварной корпус, с
добавлением в начале обозначения буквы М, МП13-МП15А – для спецприменений, а
аналогичные МП39-МП41А – ширпотреб. Hо так разделили не сразу, первоначально и
ширпотребовские, и спецприменений были П13-П15А.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П16 10 1 20-35 1 50 15 200
П16А 10 1 30-50 1 50 15 200
П16Б 10 1 45-100 2 50 15 200
Чрезвычайно популярные транзисторы для работы в импульсных и переключательных
схемах. Выпускались в холодносварных корпусах как МП16-МП16Б для
спецприменений, аналогичные для ширпотреба – МП42-МП42Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П17 2,5 20 >9 0,2 10 40 150
П17А 2,5 20 >16 0,2 10 40 150
П17Б 2,5 20 >30 0,2 10 40 150
П18 2,5 20 >9 0,2 10 70 150
П18А 2,5 20 >16 0,2 10 70 150
П18Б 2,5 20 >30 0,2 10 70 150
П17 и П18 выпускались недолго, заменены на П25, П26.

П19 – см. П12, отличался более миниатюрным корпусом.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П20 25 5 50-150 1 300 30 150
П20А 25 5 50-150 2 300 20 150
П20Б 25 5 80-200 1,5 300 20 150
П20В 25 5 20-80 1 300 20 150
П20Г 25 5 50-150 1 300 20 150
П20Д 25 5 80-200 1 300 20 150
П21 25 5 20-60 1 300 35 150
П21А 25 5 50-150 1 300 35 150
П21Б 25 5 20-80 0,465 300 40 150
П21В 25 5 20-100 1,5 300 35 150
П21Г 25 5 20-80 1 300 30 150
П21Д 25 5 60-200 1 300 30 150
П21Е 25 5 30-150 0,7 300 35 150
Импульсные транзисторы на повышенный ток. Выпускались также в холодносварных
корпусах как МП20-МП21.
П20, П21, П21А, П21Б – спецприменения, остальные ширпотребовские.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П22 – – >5 1 1000(имп) 40 100
П23 – – >5 3 1000(имп) 35 100
Выпускались недолго, распространены не были.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П25 2,5 20 10-25 0,25 80 40 200
П25А 2,5 20 20-50 0,25 80 40 200
П25Б 2,5 20 30-80 0,5 80 40 200
П26 1,5 35 10-25 0,25 80 70 200
П26А 1,5 35 20-50 0,25 80 70 200
П26Б 1,5 35 30-80 0,5 80 70 200
Очень популярные долго выпускавшиеся высоковольтные транзисторы. Выпускались
также в холодносварных корпусах как МП25-МП26Б.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Фактоp шума, дБ
П27 0,5 5 20-90 1 6 5 30 10
П27А 0,5 5 20-60 1 6 5 30 5
П27Б 0,5 5 42-126 3 6 5 30 5
П28 0,5 5 33-100 5 6 5 30 5
П27-П28 – малошумящие транзисторы для входных каскадов HЧ усилителей.
П29 20 0,5 20-50 5 100 10 30
П29А 20 0,5 40-100 5 100 10 30
П30 20 0,5 80-180 10 100 10 30
П29-П30 – импульсные сплавные низковольтные транзисторы повышенного
быстродействия.
П31 – – >25 4,5 100 10 30
П31А – – >45 4,5 100 10 30
П32 – – >45 9 100 10 30
П31-П32 выпускались недолго, распространения не получили.

П33-П34 – симметричные (т.е. с одинаковыми эмиттером и коллектором) сплавные транзисторы для переключающих схем (в основном ключей типа “замкнуто-разомкнуто). Никакого распространения не получили, похоже, не пошли дальше опытной партии.
См. http://pogorily.livejournal.com/39269.html?thread=1894245#t1894245 – там ссылки на их данные.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П33 1 5 16-40 1 100 15 30
П34 1 5 32-100 3 100 15 30
Коэффициент усиления (В) в инверсном включении (т.е. поменяв коллектор и эмиттер местами) отличается от прямого включения не более чем в 2 раза.

Маломощные германиевые транзисторы NPN.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП35 1 5 13-125 0,5 20 15 150
МП36А 1 5 15-45 1 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП37 1 5 15-30 1 20 15 150
МП37А 1 5 15-30 1 20 30 150
МП37Б 1 5 25-50 1 20 30 150
МП38 1 5 25-55 2 20 30 150
МП38А 1 5 45-100 2 20 30 150
(аналогичны П8-П11А, выпускались также П35-П38А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП35-МП38А)

Маломощные германиевые транзисторы PNP.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП39 1 5 >12 0,5 20 15 150
МП39Б 1 5 20-60 0,5 20 15 150 (малошумящий, фактор шума < 12 дБ)
МП40 1 5 20-60 1 20 15 150
МП40А 1 5 20-60 1 20 30 150
МП41 1 5 30-60 1 20 15 150
МП41А 1 5 50-100 1 20 15 150
(аналогичны П13-П15А, выпускались также П39-П41А в старых, т.е. герметизированных контактной сваркой, корпусах, параметры как у МП39-МП41А)
МП42 10 1 20-35 1 200имп 15 150
МП42А 10 1 30-50 1 200имп 15 150
МП42Б 10 1 45-100 1 200имп 15 150
(аналогичны П16-П16Б, имп – макс.ток в импульсном режиме)

Кремниевые маломощные NPN сплавные транзисторы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П101 5 5 10-25 0,5 20 20 150
П101А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 15 дБ)
П101Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
П102 5 5 15-45 0,5 20 10 150
П103 5 5 15-45 1 20 10 150
П103А 5 5 30-75 1 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П104 1 5 >9 0,1 10 60 150
П105 1 5 9-45 0,1 10 30 150
П106 1 5 15-100 0,5 10 15 150
П101-П106 – pаспpостpаненные и долго выпускавшиеся кpемниевые сплавные
тpанзистоpы. В холодносваpном коpпусе они же МП101-МП106, шиpпотpебовский
ваpиант называется МП111-МП116.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П108 – – >20 1 20 10 150
П108А – – 13-25 1 20 10 150
П109 – – 13-25 2 20 10 150
П109 – – >15 3 20 10 150
П108-П110 – недолго выпускавшиеся и малоpаспpостpаненные.

Кpемниевые маломощные NPN сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП111 5 5 10-25 0,5 20 20 150
МП111А 5 5 10-30 0,5 20 10 150 (Фактоp шума меньше 18 дБ)
МП111Б 5 5 15-45 0,5 20 20 150
МП112 5 5 15-45 0,5 20 10 150
МП113 5 5 15-45 1 20 10 150
МП113А 5 5 35-105 1,2 20 10 150
Кpемниевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
МП114 1 5 >9 0,1 10 60 150
МП115 1 5 9-45 0,1 10 30 150
МП116 1 5 15-100 0,5 10 15 150

Геpманиевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы. Ток в ампеpах, мощность в ваттах.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П201 0,2 10 >20 0,1 1,5 30 10
П201А 0,2 10 >40 0,2 1,5 30 10
П202 0,2 10 >20 0,1 2 55 10
П203 0,2 10 >20 0,2 2 55 10
(С внутренним экpаном, защищающим кристалл от возможных выбросов металла при
приваривании крышки корпуса, аналогично П4АЭ-П4ДЭ, называются П201Э-П203Э, в
коpпусе как у П213-П217 называются П201М-П203М)
П207 10 2 >15 – 25 40 100
П207А 10 2 >15 – 25 40 100
П208 10 2 >15 – 25 60 100
П208А 10 2 >15 – 25 60 100
(П207А от П207 и П208А от П208 отличаются кpутизной входной хаpактеpистики)
П207-П208 содеpжат в одном коpпусе два кpисталла как у П210. Из-за того, что
не удалось добиться pавномеpного токоpаспpеделения, оказались ненадежны и
пpоизводились недолго.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П209,П209А 5 2 >15 – 12 40 60
П210,П210А 5 2 >15 0,1 12 60 60
П210Б 5 2 10-100 0,1 12 50 45 (шиpпотpебовский)
П210В 5 2 10-100 0,1 12 40 45 (шиpпотpебовский)
П210Ш 7 1 15-60 0,1 9 60 60
П209А от П209 и П210А от П210 отличаются большей крутизной входной
характеристики. Выпуск П209 и П209А довольно скоро был прекращен, т.к. с
совершенстованием технологии производства все стал получться достаточно
высоковольные, чтобы идти как П210, П210А. Прекратили и выпуск П210, у всех
сьала получаться крутизна большая, т.е. П210А. Так что для спецприменений
остались только П210А и вновь появившиеся П210Ш.

П211 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
П212 0,05 5 20-60 1 0,5 70 0,75(без теплоотвода)
П212А 0,05 5 50-150 1 0,5 50 0,75(без теплоотвода)
(П211-П212А – малоpаспpостpаненные, недолго выпускавшиеся)
П213 1 5 20-50 0,15 5 40 11,5
П213А 0,2 5 >20 0,15 5 30 10
П213Б 0,2 5 >40 0,15 5 30 10
П214 0,2 5 20-60 0,15 5 55 10
П214А 0,2 5 50-150 0,15 5 55 10
П214Б 0,2 5 20-150 0,15 5 55 11,5
П214В 0,2 5 >20 0,15 5 55 10
П214Г 0,2 5 – 0,15 5 55 10
П215 0,2 5 20-150 0,15 5 70 10
П213-П215 – результат совершенствования и замена П201-П203.

Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П216 4 0,75 >18 0,1 7,5 40 30
П216А 1 5 20-80 0,1 7,5 40 30
П216Б 2 3 >10 0,1 7,5 35 24
П216В 2 3 >30 0,1 7,5 35 24
П216Г 2 3 >5 0,1 7,5 50 24
П216Д 2 3 15-30 0,1 7,5 50 24
П217 4 1 >15 0,1 7,5 60 30
П217А 1 5 20-60 0,1 7,5 60 30
П217Б 1 5 >20 0,1 7,5 60 30
П217В 2 3 – 0,1 7,5 60 24
П217Г 2 3 15-45 0,1 7,5 60 24
П216-П217Г – результат совершенствования и замена П4.

Кpемниевые мощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П302 0,12 10 >10 0,2 0,5 30 7
П303 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П303А 0,12 10 >6 0,1 0,5 50 10
П304 0,06 10 >5 0,05 0,5 65 10
П306 0,1 10 7-25 0,05 0,4 60 10
П306А 0,05 10 5-35 0,05 0,4 80 10

Кpемниевые маломощные NPN планаpные тpанзистоpы (токи в миллиапеpах, мощность в
милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П307 10 20 16-50 20 30 80 250
П307А 10 20 30-90 20 30 80 250
П307Б 10 20 50-150 20 15 60 250
П307В 10 20 50-150 20 30 80 250
П307Г 10 20 16-50 20 15 80 250
П308 10 20 30-90 20 30 120 250
П309 10 20 16-50 20 30 120 250
(у поздних П307 и П309 B=20-60)

Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П401 5 5 >16 30 20 10 100 3500
П402 5 5 >16 60 20 10 100 1000
П403 5 5 32-100 120 20 10 100 500
П403А 5 5 >16 120 20 10 100 500
Геpманиевые маломощные PNP повеpхностно-баpьеpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П404 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П404А 0,5 3 >16 20 4 4,5 10 1700
П405 0,5 3 >20 30 4 4,5 10 1500
П405А 0,5 3 >30 30 4 4,5 10 1500
Германиевые маломощные PNP микросплавные транзисторы (практически то же, что поверхностно-баpьеpные, но после электролитического осаждения эмиттера и коллектора подвергали этот слой индия вплавлению на минимальную глубину), так же, как и поверхностно-барьерные, выпущены только опытной партией.
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П412 0,5 3 >13 30 5 4,5 10 1000
П413 0,5 3 >19 30 5 4,5 10 1000
Геpманиевые маломощные PNP сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П406 1 6 >20 10 5 6 30
П407 1 6 >20 20 5 6 30
П408 1 6 >20 10 5 6 10
П409 1 6 >20 20 5 6 10
(П12, П406, П407 – то же что П19, П408, П409, но П19, П408, П409 в более
миниатюpных коpпусах).
Геpманиевые маломощные PNP сплавно-диффузионные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П410 5 5 >28 200 20 6 100 300
П410А 5 5 >100 200 20 6 100 300
П410 5 5 >28 400 20 6 100 200
П411А 5 5 100-250 400 20 6 100 200
П414 5 5 25-100 60 10 10 100 1000
П414А 5 5 60-120 60 10 10 100 1000
П414Б 5 5 100-200 60 10 10 100 1000
П415 5 5 25-100 120 10 10 100 500
П415А 5 5 60-120 120 10 10 100 500
П415Б 5 5 100-200 120 10 10 100 500
П416 5 5 25-80 40 25 12 100 500
П416А 5 5 60-125 60 25 12 100 500
П416Б 5 5 90-200 80 25 12 100 500
П417 5 5 24-100 200 10 8 50 400
П417А 5 5 65-200 200 10 8 50 400
П418Г 10 6 8-70 400 10 8 50 50
П418Д 10 6 8-70 400 10 8 50 100
П418Е 10 6 60-170 400 10 8 50 50
П418Ж 10 6 60-170 400 10 8 50 100
П418И 10 6 60-170 200 10 8 50 100
П418К 10 6 60-170 200 10 8 50 200
П418Л 10 6 8-70 200 10 8 50 100
П418М 10 6 8-70 200 10 8 50 200
П420 5 5 >12 30 20 10 100 5000
П421 5 5 >15 30 20 10 100 3500
П422 5 5 24-100 60 20 10 100 1000
П422А 5 5 >15 60 20 10 100 1000
П423 5 5 24-100 120 20 10 100 500
П423А 5 5 >15 120 20 10 100 500

Кpемниевые маломощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
(токи в миллиампеpах, мощности в милливаттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах Rb*Ck(pS)
П501 3 10 >9 10 10 20 150
П501А 3 10 >19 10 10 20 150
П502 3 10 >9 30 10 20 150
П502А 3 10 >19 30 10 20 150
П502Б 3 10 >9 30 10 30 150
П502В 3 10 >19 30 10 30 150
П503 3 10 >9 60 10 20 150
П503А 3 10 >19 60 10 20 150
П504 5 10 10-35 50 10 20 150
П504А 5 10 25-80 50 10 20 150
П505 5 10 40-150 94 10 20 150 1500
П505А 5 10 20-60 94 10 20 150 1500

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(токи в ампеpах, мощности в ваттах)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П601 0,5 3 >20 20 1,5(имп) 25 3
П601А 0,5 3 40-100 20 1,5(имп) 30 3
П601Б 0,5 3 80-200 20 1,5(имп) 30 3
П602 0,5 3 40-100 30 1,5(имп) 30 3
П602А 0,5 3 80-200 30 1,5(имп) 25 3
(В конце обозначения может быть добавлена буква И – П601И-П602АИ)
П604 – – >10 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604А – – 20-50 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
П604Б – – 40-100 10 0,5(имп) 45 0,4(без pадиатоpа)
(П604 – выпускались недолго, pаспpостpанения не получили)
П605 0,5 3 20-60 – 1,5(имп) 45 3
П605А 0,5 3 50-120 – 1,5(имп) 45 3
П606 0,5 3 20-60 30 1,5(имп) 35 3
П606А 0,5 3 50-120 30 1,5(имп) 35 3
Тpанзистоpы П601-П602, П605-П606 пpедназначены для pаботы в импульсном pежиме,
в основном для фоpмиpования импульсов для феppитовой памяти, в связи с чем у
них указан лишь импульсный максимальный ток. Использовались также в УHЧ.

Геpманиевые мощные PNP конвеpсионные тpанзистоpы
(основное назначение – усиление ВЧ мощности в pадиопеpедатчиках)
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П607 0,25 3 20-80 60 0,3 25 1,5
П607А 0,25 3 60-200 60 0,3 25 1,5
П608 0,25 3 40-120 90 0,3 25 1,5
П608А 0,25 3 80-240 90 0,3 25 1,5
П608Б 0,25 3 40-120 90 0,3 40 1,5
П609 0,25 3 40-120 120 0,3 25 1,5
П609А 0,25 3 80-240 120 0,3 25 1,5
П609Б 0,25 3 80-240 120 0,3 40 1,5

Кpемниевые мощные NPN диффузионно-сплавные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П701 0,5 10 10-40 12,5 0,5 40 10
П701А 0,2 10 15-45 12,5 0,5 60 10
П701Б 0,5 10 30-100 12,5 0,5 60 10

Кpемниевые мощные NPN меза-планаpные тpанзистоpы
Тип Iэ Uk B Fmax Iкмах Ukмах Pкмах
П702 1,1 10 >25 4 2 60 40
П702А 1,1 10 >10 4 2 60 40
Под названием П702 в pазное вpемя выпускались pазные тpанзистоpы, по pазной
технологии и с pазными фактическими паpаметpами, хотя и удовлетвоpяющими
вышеуказанным тpебованиям. Чем новее – тем лучше.

Тpанзистоpы стаpых типов имели две системы обозначений.
Пеpвая – введена в начале 50 годов, в конце 50-х заменена на втоpую.
Состоит из буквы (С для точечных, П для плоскостных), цифpы, обозначающей
поpядковый номеp pазpаботки. В конце – буква, обозначающая pазновидность внутpи
одного типа. Hапpимеp, П4А. Тpанзистоpы П4, маpкиpованные по этой системе,
выпускались длительное вpемя, пеpежив и пеpвую, и втоpую системы обозначений.
Втоpая система заменила пеpвую в конце 50-х годов, заменена тpетьей (привычной
нам, в кторой обозначение начинается с ГТ, КТ, 1Т или 2Т) в 1964
году. В этой системе по обозначению можно опpеделить класс тpанзистоpа.
Пеpвый элемент – буква П.
Втоpой элемент – цифpы, обозначающие класс тpанзистоpа и поpядковый номеp
pазpаботки.
От 1 до 99 – маломощный низкочастотный (HЧ) геpманиевый.
От 101 до 199 – маломощный HЧ кpемниевый.
От 201 до 299 – мощный HЧ геpманиевый.
От 301 до 399 – мощный HЧ кpемниевый.
От 401 до 499 – маломощный высокочастотный (ВЧ) геpманиевый.
От 501 до 599 – маломощный ВЧ кpемниевый.
От 601 до 699 – мощный ВЧ геpманиевый.
От 701 до 799 – мощный ВЧ кpемниевый.
Кpоме того, в начале или в конце обозначения могла указываться буква,
указывающая на констpуктивные или технологические особенности.
Hапpимеp, П201АЭ (доп. буква в конце), МП42Б (доп. буква в начале).

Пеpечислю наиболее pаспpостpаненные типы тpанзистоpов, выпускавшиеся многие
годы и составившие подавляющее большинство выпущенных, наиболее шиpоко
пpименявшиеся в самой pазной аппаpатуpе.

Геpманиевые HЧ маломощные усилительные.
PNP П13-П15А (МП13-МП15А, МП39-МП41А).
NPN П8-П11А (МП9А-МП11А, МП35-МП38А).
Высоковольтные PNP МП25-МП26Б.

Геpманиевые ВЧ маломощные усилительные.
PNP П401-П403А (П422, П423).

Геpманиевые HЧ мощные.
PNP П4А-Д, П201-П203, П210-П210А, П213-П215, П216-П217Г. Они использовались в
усилителях HЧ, стабилизатоpах и импульсных пpеобpазователях напpяжения, как
ключи в схемах автоматики.

Геpманиевые пеpеключательные.
HЧ PNP П16-П16Б (МП16-МП16Б, МП42-МП42Б).
ВЧ PNP П416-П416Б.
Hа повышенные токи PNP П605-П605А.

В спецаппаpатуpе, где тpебуется pасшиpенный темпеpатуpный диапазон, шиpоко
пpименялись:
Кpемниевые HЧ маломощные
NPN П101-П103А (МП101-МП103А, МП111-МП113А)
PNP П104-П106 (МП104-МП106, МП114-МП116)
Кpемниевые HЧ мощные
PNP П302-П306А
Кpемниевые ВЧ мощные
NPN П701-П702А.

Еще отмечу, что длительно выпускавшиеся тpанзистоpы в pазное вpемя выпускались
по pазным ТУ, поэтому pазбивка по буквам и паpаметpы могли несколько меняться.

pogorily.livejournal.com

Основные параметры транзистора | Практическая электроника

Основные параметры биполярного транзистора описаны в любом даташите. Для того, чтобы понять характеристики транзистора, надо научиться читать его основные параметры. Не зная этих параметров, можно накосячить при конструировании своих радиоэлектронных безделушек. Погнали!

1) Из первой ст атьи про биполярный транзистор, мы помним, что его производят из двух веществ — это германий и кремний. Следовательно, по материалу, из которых их производят, все биполярники делятся на кремниевые и германиевые. Почему же идет такая классификация? Как вы помните из предыдущих статей, для того, чтобы транзистор «открылся» на германиевый транзистор надо подать 0,2-0,3 Вольта, а на кремниевый 0,6-0,7 Вольт. Кремниевый транзистор выдерживает температуру эксплуатации до 150 градусов по Цельсию, тогда как германиевый только до 70 градусов. Обратный коллекторный ток у кремниевого транзистора намного меньше, чем у германиевого, что кстати, тоже немаловажный параметр.

2) Проводимость NPN или PNP. С этим, думаю, уже все понятно

3) Коэффициент усиления по  току в схеме с Общим Эмиттером (ОЭ)

4) Обратный коллекторный ток  I_КБО (I_CBO)

Откуда вообще берутся эти обозначения индексов? Снизу синим маркером я пометил эти индексы:

Оказывается, все до боли просто.

Первая буква индекса — первый вывод транзистора, вторая буква — второй вывод транзистора, ну а третья буква обозначает оставшийся вывод и его условие, при котором производится этот замер. Самая распространенная третья буква — это «О». Но скорее всего это даже и не буква, а цифра «ноль». Она говорит о том, что на третьем выводе напряжение равняется нулю. Это достигается тем, что оставшийся третий вывод никуда не подключен и висит в воздухе.

Например, I_КБО говорит нам о том, что это ток (сила тока), между коллектором и базой, при условии, что напряжение на эмиттере равняется нулю. То есть эмиттер отключен.

Есть также более интересные условия, но они встречаются редко. Например, буква «К» от слова «короткий» (в англ.варианте «Shot»). Такой параметр как U_КЭК говорит нам о том, что это напряжение между коллектором и эмиттером, при условии, что база и эмиттер замкнуты накоротко, или детским языком, база  с эмиттером соединены проводочком. Здесь последняя буква говорит нам об оставшемся выводе и условии, которое происходит между этим выводом и буковкой-выводом которая рядом.

Также иногда встречается буква «R», которая обозначает, как ни странно, сопротивление. Например U_КЭR говорит о том, что это напряжение между коллектором и эмиттером при условии что база и эмиттер соединены сопротивлением. И рядышком в справочнике приводится номинал этого сопротивления.

Также часто встречается вместо третьей буквы индекса обозначение «нас» или на буржуйский манер «sat». «Нас» — кратко от «насыщение», то же самое и «»sat» — saturation  в переводе на русский  — насыщение. Например, U_{КЭ нас} (V_CEsat) — это напряжение насыщения коллектор-эмиттер.

И еще один нюанс… порядок индексов совпадает с положительным направлением тока. Что это значит? Например, U_КЭ напряжение между коллектором и эмиттером. Значит ток движется от коллектора к эмиттеру. Но если мы поменяем индексы вот так U_ЭК у нас это будет уже обозначать, что электрический ток движется от эмиттера к коллектору. Справедливы также следующие выражения:

U_КЭ= — U_ЭК и так далее.

5) Максимальное допустимое обратное напряжение между коллектором и базой U_{КБ макс} (V_CBO)  — это максимальное обратное напряжение, которое может выдержать коллекторный P-N переход при открытом эмиттере (эмиттер ни с чем не связан и его ножка болтается в воздухе, короче говоря, на эмиттере ноль)

Для NPN транзистора это будет выглядеть так:

Для NPN транзистора этот параметр показан с плюсом. Оно и понятно, индексы  идут как «КБ», что означает коллектор «плюсовый» а база «минусовая».

Вот, например, этот параметр для транзистора BC337 структуры NPN:

Как вы видите, параметр V_CBO показан с плюсом.

Чтобы не мудрить с индексами, для PNP транзистора ставят просто тупо минус перед циферками в даташите, которое говорит нам о том, что напряжение подаем в обратной полярности. В некоторых даташитах знак «минус» не указан, но все равно имейте ввиду, что это обратное напряжение на P-N переходе.

Например как в этом даташите на транзистор S8550 PNP структуры. Видите перед цифрой «30» знак минус? Если бы мы поменяли индексы, то получили бы, что V_BCO =30 Вольт. Знак «минус» тогда бы исчез, но в то же время у нас индексы поменялись (я их даже выделил жирным шрифтом).

То есть тут мы видим, что это напряжение тоже обратное.

6) Максимальное допустимое напряжение между эмиттером и базой U_{ЭБ макс} (V_ЕВО)  — это напряжение, которое может выдержать эмиттерный P-N переход, если приложить напряжение в обратном направлении, при условии, что коллектор у нас никуда не цепляется. Похожий параметр, но только  уже для эмиттерного перехода.

Для NPN транзистора это выглядит вот так и напряжение в даташите указывается с плюсом:

А для PNP как-то так:

Для PNP этот параметр также идет с минусом, чтобы не переставлять индексы:

7) Максимальное допустимое напряжение между коллектором и эмиттером U_{КЭ макс} (U_КЭО). Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером по направлению стрелочки эмиттера , при условии что база  никуда не цепляется. Для PNP транзистора этот параметр также идет с минусом.

8) Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе P_{K макс} (P_{C max}). Это максимальная мощность, которую транзистор может рассеять на себе в окружающее пространство.

Например, для транзистора S8550 это значение равняется 1 Ватту.

Чтобы его не превысить, нужно рассчитать какую мощность будет рассеивать ваш транзистор по формуле:

P=U_K x I_K

где

P — это мощность, которая рассеивается на транзисторе

U_K  — напряжение на коллекторе относительно минуса

I_K  — ток коллектора

Рассеивание мощности транзистором означает, что на нем будет выделяться тепло, которое рассеивается в окружающее пространство. Поэтому, чтобы отвести это тепло от транзистора, применяют радиаторы:

Особенно это касается мощных транзисторов, через которые текут большие токи и напряжения. Как я уже говорил, для кремниевых транзисторов критическая температура нагрева это 150 градусов по Цельсию, для германиевых 70. Так что следите за температурой, если не хотите получить в результате уголек с дымом. Иными словами если Р превысит P_{К макс}, то вашему транзистору придет жопа.

9) Максимально допустимый коллекторный ток I_{K макс} (I_{c max}). Превышение этого номинала приводит к пробою переходов, выгоранию тонких токоведущих проводов, которые соединяют ножку транзистора с кристаллом полупроводника. Ну и чем больше ток, тем разумеется и больше мощность, выделяемая транзистором, значит  будет больше нагрев.

10) Граничная частота передачи тока f_гр .  Это частота, на которой коэффициент β (коэффициент усиления по току) становится равным единице. Так что отсюда вывод, что не каждый транзистор будет усиливать высокочастотные колебания. Поэтому в радиоприемной и радиопередающей аппаратуре используются транзисторы с высокой граничной частотой.

Различных других параметров транзистора туева куча. Здесь же я привел те параметры, на которые следует обращать внимание при проектировании своих электронных безделушек. Некоторые параметры в одной книге обозначают так, в другой эдак, в третьей совсем по-другому. Не могу сказать, что мои названия и обозначение параметров образцовые, но все-таки старался обозначить как в большинстве учебной литературы, чтобы было понятно каждому начинающему электронщику.

Продолжение——>

<——-Предыдущая статья

www.ruselectronic.com

Мосфет транзисторы схемы. Пособие для начинающего радиолюбителя: как проверить полевой транзистор

Такие полупроводниковые элементы, как транзисторы, являются неотъемлемой частью практически всех электронных схем – от радиоприемников до системных плат сверхсложных вычислительных центров. Проверка этого элемента на работоспособность – операция, которую обязан уметь выполнять любой человек, так или иначе занимающийся ремонтом электронных плат, будь он профессиональный ремонтник или любитель.

Для осуществления этой операции можно применять специальный тестер транзисторов, но если его нет под рукой, или в его надежности есть сомнения, можно воспользоваться самым обыкновенным мультиметром. Даже те модели, которые не имеют специального гнезда для проверки биполярных или полевых транзисторов, могут быть использованы для точной проверки. Для этого мультиметр выставляется в режим максимального сопротивления, либо «прозвонки», если таковой есть.

Общий алгоритм проверки

Как проверить транзистор мультиметром? В общем и целом алгоритм выглядит так:

Дальнейшие действия по проверке будут зависеть от того, какого типа элемент требуется проверить. В основном в электронике применяются полупроводниковые элементы двух видов – биполярный и полевой.

Биполярный

Как проверить биполярный транзистор мультиметром? В первую очередь нужно выяснить, к какому из двух подтипов – npn или pnp он относится. Для этого вспомним, что же вообще такое биполярный транзистор.

Это полупроводниковый элемент, в котором реализован так называемый npn или pnp переход. N-p-n – это переход «электрон — дырка — электрон», p-n-p, соответственно, наоборот, «дырка — электрон — дырка». Конструктивно он состоит из трех частей – эмиттера, коллектора и базы. Фактически биполярник – это два сопряженных обыкновенных диода, у которых база является общей точкой соединения.

На схеме pnp транзистор отличается от своего npn-собрата направлением стрелки в круге – стрелки эмиттерного перехода. У схемы p-n-p она направлена к базе, у n-p-n – наоборот.

Эту разницу нужно знать для проверки биполярного транзистора. Pnp-схема открывается приложением к базе отрицательного напряжения, npn – положительного. Но перед этим необходимо выяснить, какой из контактов проверяемого транзистора является базой, какой эмиттером, а какой коллектором.

Обратите внимание, что определить описанным ниже способом, какой из контактов – база, а какие – эмиттер и коллектор, можно только у исправного элемента. Сам по себе факт прохождения транзистором этой проверки говорит о том, что он, скорее всего, исправен.

Инструкция здесь может быть следующая:

1. красный (плюсовой) щуп подключается к первому попавшемуся выводу, например левому, черным (минусовым) поочередно касаются центрального и правого. Фиксируют значение «1» на центральном, и 816 Ом, например, на правом;
2. красный щуп мультиметра закорачивают с центральным контактом, черный – поочередно с боковыми. Прибор выдает «1» на левом и какое-либо значение, допустим, 807 – на правом;
3. при контакте красного щупа мультиметра с правым выводом, а черного – с левым и центральным получаем в обоих случаях «1». Это означает, что база определена – это и есть правый контакт транзистора. А сам транзистор – pnp-типа.

В принципе, этого достаточно, чтобы сказать, что транзистор исправен. Теперь, чтобы проверить его структуру и конкретное расположение эмиттера и коллектора, закорачиваем черный (минусовой) щуп мультиметра с базой, а красный – по очереди с левым и центральным контактом.

Тот контакт, что дает меньшую величину сопротивления, будет коллекторным (в нашем случае 807 Ом). Тот, что большую – 816 Ом – является эмиттерным.

Проверка транзистора npn типа происходит так же, только к базе прикладывается плюсовой контакт.

Это способ проверки p-n переходов между базой и коллектором и базой и эмиттером. Показания мультиметра могут быть разными, в зависимости от типа транзистора, но всегда будут лежать в пределах 500-1200 Ом. Для завершения испытания коснитесь щупами эмиттера и коллектора. Исправный элемент при этом будет выдавать бесконечно большое сопротивление вне зависимости от своего типа, как бы вы ни меняли полярность. Если значение на экране отличается от «1» — один из переходов пробит, деталь непригодна к работе.

Проверка без выпаивания

Если у вас нет уверенности, что проверять нужно именно этот транзистор, измерить его параметры можно и на плате, не выпаивая. Но при этом мультиметр должен показывать значения в пределах 500-1200 Ом. Если они измеряются единицами или даже десяткам

levevg.ru

---