Π Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ транзистором ΠΈ транзистором – А какая ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ pnp ΠΈ npn биполярными транзисторами? И ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠ΅ практичСскоС ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ этой Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρ‹?

Π‘ΠΎΠ΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Π½ΠΈΠ΅

Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ PNP ΠΈ NPN транзистором?

БущСствуСт Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов – биполярныС ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅. БиполярныС транзисторы ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ· Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² – NPN ΠΈ PNP. Вранзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°, извСстныС ΠΊΠ°ΠΊ эмиттСр (Π­), Π±Π°Π·Π° (Π‘) ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (К). На рисункС, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π½ΠΈΠΆΠ΅, ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ NPN транзистор Π³Π΄Π΅, ΠΏΡ€ΠΈ основных Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ (Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ, насыщСнии, отсСчки) ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», эмиттСр ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, Π° Π±Π°Π·Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для управлСния состояниСм транзистора.

Π€ΠΈΠ·ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² Π² этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΎΠ±ΡΡƒΠΆΠ΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡΒ  Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ, стоит ΡƒΠΏΠΎΠΌΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ биполярный транзистор состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… частСй, Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… двумя p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. Вранзистор PNP ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½Ρƒ N ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ двумя P областями:

Вранзистор NPN ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΎΠ΄Π½Ρƒ P ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя N областями:

БочлСнСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ N ΠΈ P областями Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌ Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°Ρ…, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ с прямым ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°. Π”Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ устройства ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ… Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° смСщСния:

  • ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ°: Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π° Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ происходит ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚, практичСски Β«ΠΎΠ±Ρ€Ρ‹Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈΒ», Ρ‚ΠΎ Π΅Π΅ΡΡ‚ΡŒ Β«ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Β».
  • Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ: транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² схСмах усилитСлСй. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π΅Π³ΠΎ характСристика практичСски Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Π°. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ зависит ΠΎΡ‚ значСния напряТСния смСщСния (управлСния) ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ.
  • НасыщСниС: Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ происходит практичСски Β«ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅Β» , Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Β«ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Β».
  • Π˜Π½Π²Π΅Ρ€ΡΠ½Ρ‹ΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ: ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Π½ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ.

Π’ транзисторС NPN ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС подаСтся Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ для создания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру. Π’ PNP транзисторС ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС подаСтся Π½Π° эмиттСр для создания Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ. Π’ NPN Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (К) ΠΊ эмиттСру (Π­):

А Π² PNP Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ:

Ясно, Ρ‡Ρ‚ΠΎ направлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΈ полярности напряТСния Π² PNP ΠΈ NPN всСгда ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ. Вранзисторы NPN Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ питания с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΡ… ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌ, Π° PNP транзисторы Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΡŽΡ‚ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ питания.

PNP ΠΈ NPN Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎ, Π½ΠΎ ΠΈΡ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠ·-Π·Π° полярностСй. НапримСр, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ пСрСвСсти NPN Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния, UΠ‘ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ U

К ΠΈ UΠ­. НиТС приводится ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ΅ описаниС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² зависимости ΠΎΡ‚ ΠΈΡ… напряТСния:

ΠžΡΠ½ΠΎΠ²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ любого биполярного транзистора являСтся ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ для рСгулирования ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.Β ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ NPN ΠΈ PNP транзисторов ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈ Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΆΠ΅. ЕдинствСнноС Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² полярности напряТСний, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… Π½Π° ΠΈΡ… N-P-N ΠΈ P-N-P ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π° эмиттСр-Π±Π°Π·Ρƒ-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

elenergi.ru

Π’ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ тиристора ΠΈ транзистора? β€” РадиомастСр ΠΈΠ½Ρ„ΠΎ

Вранзисторы – распространСнныС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅ радиоэлСмСнты. На ΠΈΡ… основС Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ элСктронных схСм, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ микросхСм. Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΡ… свойство – ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ элСктричСскиС сигналы. ИзмСняя слабый сигнал Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ элСктродС транзистора, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ усилСнным Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом. Π•ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ довольно распространСнный Π²ΠΈΠ΄ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… радиоэлСмСнтов β€” тиристоры. Они Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод, Π½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠ΅ отличаСтся ΠΎΡ‚ транзисторов. Π’ этой нСбольшой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ сравнСния рассмотрСны эти различия.

Π—Π° основу возьмСм ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚ΡƒΡŽ схСму с Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΎΠΉ. ΠšΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΡƒΡ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π·Ρ‹ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ.

Π’ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ выглядит эта схСма Π½Π° транзисторС ΠΈ Π½Π° тиристорС:

Рассмотрим, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ свСчСниСм Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π² схСмС Π½Π° транзисторС. ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ питания ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ S1 Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод транзистора (Π±Π°Π·Ρƒ) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ условии достаточной Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (опрСдСляСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ сопротивлСния Π² Π±Π°Π·Π΅) транзистор откроСтся, Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° загорится.

ИзмСняя Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π±Π°Π·Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор большС ΠΈΠ»ΠΈ мСньшС, мСняя Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ свСчСния Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ. ΠŸΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм стоит постоянноС для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ сопротивлСнии ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π΅ прСвысил допустимоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ транзистор Π½Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π» ΠΈΠ· строя. Π’Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ, Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΠ² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S1.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ рассмотрим, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ свСчСниСм Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π² схСмС, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° тиристорС.

ΠŸΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ питания ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ S2 Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод тиристора Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ напряТСниС ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ условии достаточной Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (опрСдСляСтся Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ сопротивлСния Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода) тиристор

откроСтся, Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° загорится. А Π²ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅. ΠœΡ‹ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ ΡΡ€ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ измСняя сопротивлСниС Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода. Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S2 ΠΈ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠ²Π΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ тиристор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ большС ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ удСрТания. Он Ρƒ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° тиристора свой. Π§Π΅ΠΌ ΠΌΠΎΡ‰Π½Π΅Π΅ тиристор, Ρ‚Π΅ΠΌ большСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° удСрТания. ΠŸΠΎΠ³Π°ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΠ² Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π°Π½ΠΎΠ΄-ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ тиристора Π΄ΠΎ значСния мСньшС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° удСрТания ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΠ² Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S3 (Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ удСрТания Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ 0).

Π­Ρ‚ΠΎ главная ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ примСнСния тиристоров ΠΈ Π³Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΡ… ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ транзисторов.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, тиристор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΈ достоинство, ΠΈ нСдостаток. Достоинство Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния нСбольшоС ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρƒ Π½Π°ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρƒ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ транзистора. НСдостаток Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ схСма управлСния услоТняСтся.

Виристоры ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² цСпях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠœΡ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ тиристор ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Ρƒ ΠΏΡ€ΠΈ Π΅Π΅ нарастании. Когда ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Π° спадаСт, тиристор сам закроСтся. ЗадСрТивая врСмя открывания ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Ρ‹, ΠΌΡ‹ мСняСм врСмя ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ состояния тиристора ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅.

Как ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, рассмотрим ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅ схСмы Π½Π° тиристорС ΠΎΡ‚ источника ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π³ΠΎΡ€Π΅Ρ‚ΡŒ, Π° ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ, Π³Π°ΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· осциллограммы, ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Ρƒ, Π² Π΅Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊ приблиТаСтся ΠΊ 0. Если Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ S2 Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, Ρ‚ΠΎ с ΠΏΡ€ΠΈΡ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠ²ΠΎΠ»Π½Ρ‹ тиристор Π½Π΅ откроСтся.

ΠžΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄.

Виристоры цСлСсообразно ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π² цСпях ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). ΠŸΡ€ΠΈ этом Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод достаточно ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ. ЗакроСтся тиристор сам, послС окончания ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΡ…ΠΎΠ΄Π΅ ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ° Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ элСктрод снова Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ΠΏΠΈΡ€Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊ Π΄Π°Π»Π΅Π΅.

ΠœΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΡƒΠ±Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ Π½Π° Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎ:

Β 

Β 

Β 

Β 

Β 

Β 

Β 

Β 

radiomasterinfo.org.ua

Π Π΅Π»Π΅ ΠΈ транзисторы: ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² качСствС элСктронных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ | hardware

МСня часто ΡΠΏΡ€Π°ΡˆΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ потрСбитСлями Ρ‚ΠΎΠΊΠ° – Π»Π°ΠΌΠΏΠ°ΠΌΠΈ, ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈΡΡ ΠΎΡ‚ сСти 220 Π’, ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚Π΅Π½Π°ΠΌΠΈ. Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ собран ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ элСктронных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ – ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ устроСны, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈΡ… ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΡΠΊΠΎΠΉ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ (ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ [1]).

Π‘Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π° стоит Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ элСктронный ΠΊΠ»ΡŽΡ‡? Π’ сущности это просто Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ (ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ) ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚/Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΏΠΎ Π²Π½Π΅ΡˆΠ½Π΅ΠΌΡƒ элСктричСскому сигналу (Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшСй мощности). ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ элСктронного ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° подаСтся слабый Ρ‚ΠΎΠΊ управлСния, ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ замыкаСтся ΠΈ пропускаСт Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сСбя ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² силовой Ρ†Π΅ΠΏΠΈ. Когда Ρ‚ΠΎΠΊ управлСния ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ размыкаСтся ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ. На Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ прСдставлСны основныС прСдставитСли элСктронных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ – Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈ транзисторы.

1 – ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ транзистор

IRFP450 MOSFET, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… источниках питания, Π² Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ… Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΊΠΈ Π­Π›Π’-ΠΌΠΎΠ½ΠΈΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ².

2IRF840B, Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ довольно ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ транзистор, собрат IRFP450. ΠœΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ бСзопасно, ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ врСмя, Π±Π΅Π· использования Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° (ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ…Π»Π°ΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ вСнтилятора) ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 8A ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии 500V.

UPD140601: ΠΊΠ°ΠΊ Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π» Ross, Π½Π° самом Π΄Π΅Π»Π΅ Π±Π΅Π· Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π° IRF840 Π΄ΠΎΠ»Π³ΠΎ Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΡ… условиях Π½Π΅ протянСт, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ рассСиваСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ прСвысит 50 Π’Ρ‚. Если Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ транзистор с сопротивлСниСм ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π½Π° 2 порядка мСньшС, Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Π΅Π»ΠΎ.

3 – Π΄Π²Π° простых, Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзистора. Π‘Π»Π΅Π²Π° транзистор структуры PNP, Π° справа NPN. Π­Ρ‚ΠΈ транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π΄ΠΎ 0.15A ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии 50 .. 90V.

ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ 0.15A Π΄ΠΎ 14A ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΎΡ‚ 50V Π΄ΠΎ 500V (см. Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚ Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΉ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ транзистор), Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 7 ΠΊΠΈΠ»ΠΎΠ²Π°Ρ‚Ρ‚, Ссли Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ транзистора ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ совсСм ΠΌΠ°Π»Π΅Π½ΡŒΠΊΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ – нСсколько ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚Ρ‚.

ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ 5A Π΄ΠΎ 15A ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π΄ΠΎ 240V. НС ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ€Π°Π²Π½ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅ с транзисторами MOSFET, Π½ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π½Π΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΏΠ»ΠΎ ΠΈ Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π°Ρ….

4 – самоС простоС Ρ€Π΅Π»Π΅, подходящСС для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° случаСв. Π£ этого Ρ€Π΅Π»Π΅ 5 Π½ΠΎΠΆΠ΅ΠΊ, Π΄Π²Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ ΠΊ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅, Π° Π΅Ρ‰Π΅ Ρ‚Ρ€ΠΈ – ΠΊ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌ Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅.

5 – ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π° 20A, Π²Ρ‹Ρ‚Π°Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ· ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈ.

6 – Π΄Π²Π° Ρ€Π΅Π»Π΅, установлСнныС Π½Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΌΠΎΠ΄ΡƒΠ»ΡŒ (ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π° срабатываниС ΠΎΡ‚ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ приходящСго ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎ ΠΊΠΎΠ΄Π°). Π‘Π°ΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ потрСбляСт мСньшС 5mA, Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π΄ΠΎ 12A ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии 36V, Ρ‡Ρ‚ΠΎ составит 360 Π²Π°Ρ‚Ρ‚!

7 – Π΄Π²Π° ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… 135-Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… транзистора 2N3055 ΠΎΡ‚ старого усилитСля Π·Π²ΡƒΠΊΠ°, со своим Ρ€ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ ΡƒΡΡ‚Π°Ρ€Π΅Π²ΡˆΠΈΠ΅ биполярныС транзисторы, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ Π½Π΅ Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ эффСктивны, ΠΊΠ°ΠΊ соврСмСнныС транзисторы MOSFET. Однако Π΄Π²Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… транзистора Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… случаях ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ IRFP450, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ большС 75 Π²Π°Ρ‚Ρ‚ мощности.

8 – ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ ΠΊΠΎΠ΄Π° RC ΠΎΡ‚ большой дСтской радиоуправляСмой ΠΈΠ³Ρ€ΡƒΡˆΠΊΠΈ – автомобиля. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ Π΄Π²Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅Π»Π΅ для прямого ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ…ΠΎΠ΄Π° двигатСля машинки. Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эти Ρ€Π΅Π»Π΅ систСмы SPDT, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ Π½ΠΈΡ… Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ N/C.

9 – Π΄Π²Π° Ρ€Π΅Π»Π΅ систСмы DPDT, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ эквивалСнтны 4 ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ€Π΅Π»Π΅ (Π² ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ· этих Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΏΠΎ 2 ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Π΅ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹).

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ‚Π΅Ρ… случаях, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° использованиС простых ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΎΠΊ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π½Π΅ΡƒΠ΄ΠΎΠ±Π½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ – Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для запуска Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ стартСра, ΠΈΠ»ΠΈ для Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ядСрного Ρ€Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΈΠ»ΠΈ Π² элСктронных ΠΏΡ€ΠΎΠ΅ΠΊΡ‚Π°Ρ…, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎ радиосигналу ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ/Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ освСщСния ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π³Π°Ρ€Π°ΠΆΠ½ΠΎΠΉ Π΄Π²Π΅Ρ€ΠΈ. Π’ этом руководствС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ сдСлана ΠΏΠΎΠΏΡ‹Ρ‚ΠΊΠ° ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ самым простым языком, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ элСктронныС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ. И Π½Π°Ρ‡Π½Π΅ΠΌ с самого простого – Ρ€Π΅Π»Π΅.

[Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ элСктронноС Ρ€Π΅Π»Π΅]

Если ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ, Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ прСдставляСт ΠΈΠ· сСбя элСктромагнит, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ управляСт Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ это Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ссли Π±Ρ‹ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π»ΠΈΡΡŒ мСханичСским Π½Π°ΠΆΠ°Ρ‚ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ, Π½ΠΎ Π² случаС Ρ€Π΅Π»Π΅ усилиС для замыкания бСрСтся ΠΎΡ‚ ΠΌΠ°Π³Π½ΠΈΡ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ поля ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ большой элСктричСской ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ – Π½Π° порядки большСй, Ρ‡Π΅ΠΌ прикладываСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ элСктромагнита Ρ€Π΅Π»Π΅. ΠŸΡ€ΠΈ этом входная Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ (Π³Π΄Π΅ дСйствуСт слабый ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ) ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π° ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ для бСзопасного управлСния Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ°ΠΌΠΈ (220, 380 V ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅).

Π§Π°Ρ‰Π΅ всСго Ρƒ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ 5 ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² – Π²Ρ…ΠΎΠ΄ 1 (Π½Π° Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌ рисункС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½ +), Π²Ρ…ΠΎΠ΄ 2 (Π½Π° рисункС ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½ ΠΊΠ°ΠΊ -), COM (COMmon, ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚), N/O (Normally Open, ΠΏΠΎ ΡƒΠΌΠΎΠ»Ρ‡Π°Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅), N/C (Normally Closed, ΠΏΠΎ ΡƒΠΌΠΎΠ»Ρ‡Π°Π½ΠΈΡŽ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠ΅).

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Ρ€Π΅Π»Π΅, вспомним, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эти ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ ΠΈ для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½Ρ‹:

Π’Ρ…ΠΎΠ΄ 1: ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· ΠΊΠΎΠ½Ρ†ΠΎΠ² ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ элСктромагнита Ρ€Π΅Π»Π΅, Π² нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ это Π²Ρ…ΠΎΠ΄ для ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ полюса Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° для ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ. Когда Π½Π° этот ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ плюс напряТСния (достаточного, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Ρ€Π΅Π»Π΅ сработало) ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Π’Ρ…ΠΎΠ΄ 2, Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ΅ состояниС. ΠŸΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всС Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π΅Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ ΠΊ полярности Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, поэтому ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π° Π’Ρ…ΠΎΠ΄ 1 ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ +, Π° Π½Π° Π’Ρ…ΠΎΠ΄ 2 ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ минус, ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, Π½Π° Π’Ρ…ΠΎΠ΄ 1 ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ -, Π° Π½Π° Π’Ρ…ΠΎΠ΄ 2 ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ +, ΠΈ Π² любом случаС Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ сработаСт. НСкоторыС Ρ€Π΅Π»Π΅, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ массивный ΠΈΠ½Π΅Ρ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡΠΊΠΎΡ€ΡŒ, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΡΡ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (подробности см. Π² паспортС Π½Π° Ρ€Π΅Π»Π΅).
Π’Ρ…ΠΎΠ΄ 2: Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ† ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ элСктромагнита Ρ€Π΅Π»Π΅. ВсС Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ для Π’Ρ…ΠΎΠ΄ 1, Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ полюс Π² нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ.
COM: это ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ элСктрод Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Ρ. ΠŸΡ€ΠΈ срабатывании ΠΈΠ»ΠΈ отпускании Ρ€Π΅Π»Π΅ этот ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ пСрСкидываСтся Π½Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ N/O ΠΈΠ»ΠΈ N/C (ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ N/O ΠΈ N/C Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΡ„Π°Π·Π΅, Ρ‚. Π΅. COM ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π½Π° N/O, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π½Π° N/C). ΠšΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ COM (ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ N/O ΠΈ N/C) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎ своСму ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π½ΠΈΡŽ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ элСктричСской Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ.
N/C: ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Π½Π° COM. Π’. Π΅. ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ N/C Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Π½Π° COM, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅Π»Π΅ обСсточСна. Когда Π½Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ N/C ΠΈ COM Ρ€Π°Π·ΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ.
N/O: ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ с COM. Π’. Π΅. ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅Π»Π΅ обСсточСна, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ N/O ΠΈ COM Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹. Когда Π½Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ N/O ΠΈ COM Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ.

Для ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ токопроводимости ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ искрСния повСрхности ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² часто ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°ΠΌΠΈ ΠΈ сплавами Π½Π° основС сСрСбра, никСля, ванадия, Π° ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° для покрытия ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² примСняСтся Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π·ΠΎΠ»ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ»Π°Ρ‚ΠΈΠ½Π° (Ссли это Ρ€Π΅Π»Π΅ для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ сигналов Π² качСствСнной Π°ΡƒΠ΄ΠΈΠΎΠ°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΈΠ»ΠΈ высокочастотной Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΈΠΊΠ΅).

Если Ρƒ Вас Π΅ΡΡ‚ΡŒ 9V Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠΊΠ° (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ “ΠšΡ€ΠΎΠ½Π°”) ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΠΉΡ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΊ + ΠΈ – Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠΊΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π’Ρ‹ ΡƒΡΠ»Ρ‹ΡˆΠΈΡ‚Π΅ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΎΠΊ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ происходит ΠΈΠ·-Π·Π° притягивания якоря Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΊ сСрдСчнику элСктромагнита ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΉΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΎΠΊ, Π½ΠΎ слабСС. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΎΡ‚ Π±Π°Ρ‚Π°Ρ€Π΅ΠΈ Π’Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄ΠΈΡ‚Π΅ искру, которая Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π­Π”Π‘ самоиндукции ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅.

Если ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² всС Π΅Ρ‰Π΅ нСпонятСн для Вас, Ρ‚ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊ Π²ΠΈΠ΄Π΅ псСвдокода ΠΈ ΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ процСсс Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠΈ:

Если input = on (Power ON, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΡƒ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ)
Β Β Β COM + N/O (COM Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Π½Π° N/O)
Π˜Π½Π°Ρ‡Π΅ (Power OFF, ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° обСсточСна)
Β Β Β COM + N/C (COM Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Π½Π° N/C)

[Как ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅]

Как Π±Ρ‹Π»ΠΎ ΡƒΠΆΠ΅ упомянуто, Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ устройства (элСктронныС ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹, устройства) ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ устройства, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС энСргии. Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΉ распространСнный ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ примСнСния – Π°Π²Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒ. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Вас Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ΄ΠΈΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π’Ρ‹ ΡΠ»Ρ‹ΡˆΠΈΡ‚Π΅ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π’Ρ‹ Π·Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅ – это срабатываСт элСктромагнит Ρ€Π΅Π»Π΅. Мигания Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ малСнькая микросхСма Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ 555 timer (NE555, LM555).

Π’Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ 555 часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для создания ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠ² (для простого Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ) Π½Π° Π»ΡŽΠ±ΡƒΡŽ Π½ΡƒΠΆΠ½ΡƒΡŽ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ эта микросхСма 555 сгорит, Ссли Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сСбя Ρ‚ΠΎΠΊ большС 200 ΠΌΠ°. Π’Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ просто Ρ‚Π°ΠΊ, Π±Π΅Π· Ρ€Π΅Π»Π΅, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΊ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ 555, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π°ΠΆΠ΅ самыС ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ 700 ΠΌΠ° ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅. Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ, Ссли ΠΌΡ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅ΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ 555 для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Ρ€Π΅Π»Π΅, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ. Π’ этом случаС Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· микросхСму Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 50 .. 100 ΠΌΠ°, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ бСзопасно, Π° Π² силовой Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, ΠΏΠΈΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 5А.

Если Ρƒ Вас дорогая, новая машина, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎ шансов, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π’Ρ‹ ΡƒΡΠ»Ρ‹ΡˆΠΈΡ‚Π΅ Ρ‰Π΅Π»Ρ‡ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠΈΠ³Π°Π½ΠΈΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… Π»Π°ΠΌΠΏ, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ соврСмСнная тСндСнция – ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π·Π΄Π΅, Π³Π΄Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы MOSFET, Π° Π² качСствС ΠΈΠ½Π΄ΠΈΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹Ρ… Π»Π°ΠΌΠΏ ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ экономичныС свСтодиоды.

На ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ flash-Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ простой сцСнарий, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΠ±Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° N/O ΠΈ N/C, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΊΡ€Π°ΡΠ½ΡƒΡŽ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π·Π΅Π»Π΅Π½ΡƒΡŽ Π»Π°ΠΌΠΏΡƒ (Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π·Π°ΠΏΠΈΡ‚Π°Π½Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅Π»Π΅, ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅Ρ‚). НавСдитС курсор ΠΌΡ‹ΡˆΠΈ Π½Π° сСрый Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΈ Π½Π°ΠΆΠΌΠΈΡ‚Π΅ Π»Π΅Π²ΡƒΡŽ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΡƒ ΠΌΡ‹ΡˆΠΈ. ΠŸΡ€ΠΈ этом красная Π»Π°ΠΌΠΏΠ° погаснСт, Π° зСлСная загорится.

На ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΌ рисункС ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ использования Ρ€Π΅Π»Π΅ вмСстС с Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠΌ NE555.

ΠšΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ S1 запускаСт Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ Π΄Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ, Π² Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ, ΠΈ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ NO ΠΈ C. По ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π°Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΠΈ схСма возвращаСтся Π² исходноС состояниС, Ρ€Π΅Π»Π΅ обСсточиваСтся, ΠΈ становятся Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ NC ΠΈ C. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ устройство ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ освСщСния Π½Π° лСстницС – ΠΏΠΎ истСчСнии Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ свСт автоматичСски Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡΡ. RC-Ρ†Π΅ΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ°, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Π°Ρ ΠΊ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌ 6 ΠΈ 7 Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° NE555, опрСдСляСт Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΊΡƒ Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½ΠΈ. Π”ΠΈΠΎΠ΄, ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ°Ρ€Π°Π»Π»Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅, Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π°Π΅Ρ‚ микросхСму Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° NE555 ΠΎΡ‚ опасного выброса Π­Π”Π‘ самоиндукции, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ обСсточивании ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ (ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ). Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ схСма Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π»Π° Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ подходящСС Ρ€Π΅Π»Π΅ – с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ срабатывания Π½Π΅ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ 200mA (это максимум, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ позволяСт Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ микросхСмы Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π°) ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии ΠΎΡ‚ 4.5 Π΄ΠΎ 11 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. НапряТСниС питания схСмы ΠΏΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ Π² соотвСтствии с ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ – ΠΎΡ‚ 5 Π΄ΠΎ 12 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚.

ВмСсто микросхСмы Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° NE555 ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ любой ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ AVR, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ATmega32A ΠΈΠ»ΠΈ ATtiny85 [4]. ΠœΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€ 555, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ свой Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ с 0 Π½Π° 1. Однако ΠΈΠΌΠ΅ΠΉΡ‚Π΅ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ допустимый Ρ‚ΠΎΠΊ Ρƒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° сущСствСнно мСньшС, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… ΠΎΡ‚ 0 Π΄ΠΎ 5V. НапримСр, для ATmega32A Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ 40mA Π½Π° ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π² ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌ случаС для усилСния ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π° ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ транзисторныС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈ [2]. Π’Ρ…ΠΎΠ΄ транзисторного ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π° ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Ρƒ, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ – ΠΊ ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅.

[Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ транзистор]

Π’ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»Π΅ ΠΌΡ‹ упомянули транзисторы Π² качСствС усилитСля / Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π° сигналов ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Но Π½Π΅ успСли Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, ΠΊΠ°ΠΊ транзисторы выглядят ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚. На Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ внСшний Π²ΠΈΠ΄ транзисторов Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния.

Вранзистор Π½Π° сСгодняшний дСнь всС Π΅Ρ‰Π΅ часто ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² элСктронных схСмах, ΠΈ ΠΎΠ½ являСтся ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΈΠ· элСмСнтарных ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ² радиоэлСктроники (наряду с Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, рСзисторами ΠΈ кондСнсаторами). НСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора для Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‡ΠΊΠ° Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ с ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π°Π·Π°, транзистор ΠΏΠΎ сути ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ прост ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ вмСстС с Ρ€Π΅Π»Π΅. Как Π’Ρ‹ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π°Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ, Ρƒ транзистора 3 Π½ΠΎΠΆΠΊΠΈ, ΠΈ простыС биполярныС транзисторы Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ²: PNP ΠΈ NPN.

Π‘Π°ΠΌΡ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹ΠΌΠΈ появились транзисторы PNP, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π½Π° основС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° гСрмания. ΠŸΠΎΡ‚ΠΎΠΌ освоили ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов ΠΈΠ· крСмния, ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнными стали транзисторы структуры NPN. Вранзисторы ΠΎΠ±Π΅ΠΈΡ… структур (PNP ΠΈ NPN) Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ, ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² полярности Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π³ΠΎ напряТСния питания, ΠΈ Π² Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°Ρ…. Π’ настоящСС врСмя Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ транзисторы NPN.

Π’ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… схСмах Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Ρƒ Ρ€Π΅Π»Π΅. Когда слабый ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· эмиттСрный ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ (ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ Π‘ ΠΈ эмиттСром Π­), Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (К) ΠΈ эмиттСром (Π­) открываСтся, ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ большС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ Π² дСсятки ΠΈ сотни Ρ€Π°Π·. Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ Π² этом случаС ΠΈΠ³Ρ€Π°Π΅Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ элСктрода, ΠΈ для транзисторов NPN Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ эмиттСр часто ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ ΠΊ ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Ρƒ питания, ΠΊ Π·Π΅ΠΌΠ»Π΅ GND.

Вранзисторы ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ вмСсто Ρ€Π΅Π»Π΅, ΠΈ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅, ΠΎΡ‚ слабого сигнала. Но Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅Π»Π΅, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокой (врСмя ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ· Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ состояния Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎ), поэтому ΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ для управлСния Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΈΠ½Π°ΠΌΠΈΠΊΠ°ΠΌΠΈ ΠΈ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ трансформаторами Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… источниках питания. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²ΠΎ самых ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒΡΡ со ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ 1 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ Ρ€Π°Π· Π² сСкунду. Вранзисторы Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌΠΈ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Π°ΠΌΠΈ, поэтому ΠΎΠ½ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² Ρ‚Π΅Ρ… мСстах, Π³Π΄Π΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π½ΠΎ. Однако транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½Ρ‹ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ элСктромагнитными полями, статичСским элСктричСством ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΊΠ»Π°Π΄Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ ограничСния Π½Π° области примСнСния транзисторов.

[Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор]

Вранзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ усилитСлСм мощности. На Π²Ρ…ΠΎΠ΄ прикладываСтся малСнькая управляСмая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, Π° Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ снимаСтся Π² дСсятки ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ сотни Ρ€Π°Π· бОльшая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ. Π­Ρ‚ΠΎ происходит Π·Π° счСт измСнСния сопротивлСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром.

К соТалСнию, располоТСниС Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹, эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΠ°) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзистора ΠΊ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‚Π°ΠΊ Ρ‡Ρ‚ΠΎ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, Π³Π΄Π΅ Π±Π°Π·Π°, Π° Π³Π΄Π΅ эмиттСр ΠΈ Π³Π΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‰Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΊ Π΄ΠΎΠΊΡƒΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ Π½Π° транзистор. Π•ΡΡ‚ΡŒ способы, ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ тСстСра ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΎΠΊΠΎΠ»Π΅Π²ΠΊΡƒ, Π½ΠΎ это сущСствСнно слоТнСС, Ρ‡Π΅ΠΌ просто Π·Π°Π³Π»ΡΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π² Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚.

Вранзисторы, Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅Π»Π΅, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ (ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΊΠΎΠ΅ сопротивлСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° эмиттСр – ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€), Ρ‡Ρ‚ΠΎ прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ. Π­Ρ‚Ρƒ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΡŽ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора, h21Π­. НапримСр, Ссли коэффициСнт усилСния транзистора Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 100, Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ 1mA, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ, Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – эмиттСр ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 100mA, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° тСхничСском языкС Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ усилСниСм. Вранзистор, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ€Π΅Π»Π΅, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ сильно Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ высокий Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² получаСтся ΠΏΡ€ΠΈ большой рассСиваСмой мощности Π½Π° сопротивлСнии ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – эмиттСр, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π² ΠΈ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Ρ€ΠΈ мощности ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

ВсС транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½Π΅ΠΊΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, ΠΏΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ транзистор Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. Для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΠ½ΡΡ‚Π²Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… биполярных транзисторов это напряТСниС составляСт 0.5 .. 0.8V. Для Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов это напряТСниС мСньшС, ΠΈ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0.2 .. 0.4V. Иногда этот ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ напряТСниСм отсСчки. Если Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½ΠΈΠΆΠ΅ напряТСния отсСчки, Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠ°Π½Π°Π»Ρ‹ Π±Π°Π·Π° – эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – эмиттСр Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚, транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ всС транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, послС ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ эффСкт усилСния пСрСстаСт ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ. Π’. Π΅. Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ этого ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³Π° усилСниС пСрСстаСт ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ пСрСстаСт расти. ΠŸΡ€ΠΈ этом напряТСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ состояниС транзистора Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ насыщСниСм, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ этом считаСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚.

Π’ этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ рассматриваСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора Π² качСствС элСктронного ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°, поэтому Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π΄Π²Π° состояния транзистора – Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ (состояниС отсСчки Ρ‚ΠΎΠΊΠ°), Π»ΠΈΠ±ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ (состояниС насыщСния). НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° анимация, ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра Ρ€Π°Π²Π΅Π½ суммС Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² 100 Ρ€Π°Π· мСньшС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 100).

По этой ΠΊΠ°Ρ€Ρ‚ΠΈΠ½ΠΊΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ достаточно, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ силовой ΠΊΠ°Π½Π°Π» проводимости ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – эмиттСр (ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ малСнький Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π±Ρ‹ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»ΡŒ основного ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°). Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ условно ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ состояниС насыщСния – ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ пСрСполняСт Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Ρƒ, ΠΈ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Π° Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΡƒΡΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· сСбя Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ позволяСт Π΄ΠΈΠ°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ Ρ‚Ρ€ΡƒΠ±Ρ‹. ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ ΠΆΠ΅, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ прСдставлСниС являСтся ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€Π°ΠΆΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ процСссы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ происходят Π² транзисторС.

[Как ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ транзистор]

ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто транзистор ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ элСктронный ΠΊΠ»ΡŽΡ‡. Когда ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром, открываСтся силовой ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚. К ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ/Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ свСтодиоды Π² зависимости ΠΎΡ‚ сигнала Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, приходящСго ΠΎΡ‚ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° 555 (ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ Π½ΠΈΠΆΠ΅) ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Ρ‚Π°ΠΉΠΌΠ΅Ρ€Π° 555 (ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚ΠΎΠΌ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°) ΠΈ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ транзистора ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всСгда ставят Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‚Π½Ρ‹ΠΉ рСзистор (Π½Π° этой Π°Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ†ΠΈΠΈ для упрощСния рСзистор Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½). Для упрощСния Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ рСзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ с ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹ΠΌ свСтодиодом.

Π Π°Π½Π΅Π΅ ΡƒΠΆΠ΅ ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π»Π°ΡΡŒ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°. Для этого ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы. НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π° простая схСма Π½Π° транзисторС KT315 (Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠΌ Π½Π° BC547), прСдназначСнная для ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ сСтСвой Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ 220V с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Ρ€Π΅Π»Π΅ (это ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π»Π°ΠΌΠΏΠ°, ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΈΠ»ΠΈ асинхронный Π΄Π²ΠΈΠ³Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ).

Π”ΠΈΠΎΠ΄ VD1 Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½ для прСдотвращСния поврСТдСния транзистора Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΎΠΌ Π­Π”Π‘ самоиндукции, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ обСсточивании ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅.

[ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠ΅ замСчания ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈ транзисторов]

Π Π΅Π»Π΅ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ с самыми Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌΠΈ, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ Π΅Π³ΠΎ Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ примСнСния. Π§Π΅ΠΌ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Π΅Π΅ (Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅ΠΌ большС Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈ напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ), Ρ‚Π΅ΠΌ большС Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈΠ·-Π·Π° увСличСния Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΎΠ² элСктромагнита ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹. Π§Π΅ΠΌ Ρ€Π΅Π»Π΅ большС ΠΏΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ, Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΎΠ½ΠΎ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ бОльшСй мощности для управлСния. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΡΡ‚Π°Ρ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅Π»Π΅, Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ подходящСС Π’Π°ΠΌ ΠΏΠΎ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Π°ΠΌ.

Π’Π°ΠΆΠ½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС источника питания для Ρ€Π΅Π»Π΅. Если напряТСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ слишком Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ, Ρ‚ΠΎ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ (ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΡ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ вовсС). Если напряТСниС Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ слишком большим, Ρ‚ΠΎ Π½Π° ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ΅ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°ΡΡΠ΅ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ слишком большая ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΉΡ‚ΠΈ ΠΈΠ· строя. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ напряТСниС питания ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅, см. ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρ€Π΅Π»Π΅ Π² Π΅Π³ΠΎ паспортС ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°Ρ‚Π°ΡˆΠΈΡ‚Π΅.

Для управлСния Ρ€Π΅Π»Π΅ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π° примСняйтС транзисторы Π² качСствС Π±ΡƒΡ„Π΅Ρ€Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ.

Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠ³Π»ΠΈ Π±Ρ‹ Π·Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ вопросом – Π² Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΌΠΈ, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌΠΈ биполярными транзисторами ΠΈ транзисторами MOSFET. ΠœΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ бОльшиС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΈ напряТСния, ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ корпуса (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ порядка 10 .. 20A, ΠΈ напряТСния Π΄ΠΎ 600V ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅). ΠšΠΎΡ€ΠΏΡƒΡ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ транзистора рассчитан Π½Π° ΠΊΡ€Π΅ΠΏΠ»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊ тСплоотводящСй повСрхности (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ€Π°Π΄ΠΈΠ°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ). ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ простыС пластмассовыС ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅ корпуса, ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π²Ρ‹Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ напряТСния Π΄ΠΎ 150V ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ Π΄ΠΎ 2A.

Вранзистор MOSFET, нСсмотря Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΈ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΎΡ‚ Ρ‚Ρ€Π°Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Ρ… биполярных транзисторов, ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ для Ρ‚Π΅Ρ… ΠΆΠ΅ Ρ†Π΅Π»Π΅ΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ биполярныС транзисторы. НиТС ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ схСмы для управлСния Ρ€Π΅Π»Π΅ Π½Π° транзисторС MOSFET.

Под транзисторами MOSFET часто ΠΏΠΎΠ΄Ρ€Π°Π·ΡƒΠΌΠ΅Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ транзисторы. Π”Π΅ΠΉΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ Ρƒ MOSFET Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Ρ€Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€Ρ‹ биполярных транзисторов ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ. Π’ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии сопротивлСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° сток – исток транзисторов MOSFET Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ ΠΊ бСсконСчности, Π° Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ практичСски Π΄ΠΎ нуля. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ транзисторы MOSFET ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ бСзопасно Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… мощностСй, выдСляя ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ количСство Ρ‚Π΅ΠΏΠ»Π°. Вранзисторы MOSFET, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ биполярныС, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒ сопротивлСниС силового ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ это сопротивлСниС зависит ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния, Π° Π½Π΅ ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… случаях ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ с нСбольшими модификациями схСмы Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ биполярный транзистор Π½Π° транзистор MOSFET. ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Π°Ρ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½Π° Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Π° Π΄Π°Π»Π΅ΠΊΠΎ Π½Π΅ всСгда.

МСня Π½Π°Π²Π΅Ρ€Π½ΠΎΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ “радиоэлСктронным ΡΡ‚Π°Ρ€ΡŒΠ΅Π²Ρ‰ΠΈΠΊΠΎΠΌ”. НС ΠΌΠΎΠ³Ρƒ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΄ΡƒΡˆΠ½ΠΎ ΠΌΠΈΠΌΠΎ любой Π²Ρ‹Π±Ρ€ΠΎΡˆΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ радиоэлСктронной ΠΆΠ΅Π»Π΅Π·ΠΊΠΈ – хочСтся Π·Π°Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎΠΌΠΎΠΉ, ΠΏΠΎΡ‡ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ хотя Π±Ρ‹ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° запчасти. Π’ старой Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈ транзисторы, Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ работоспособныС ΠΈ достойныС Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ΠΉ участи, Ρ‡Π΅ΠΌ Π³Π½ΠΈΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° свалкС. Π Π΅Π»Π΅ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‚ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ‡Π°Ρ…, ΠΊΠΎΠ½Π΄ΠΈΡ†ΠΈΠΎΠ½Π΅Ρ€Π°Ρ…, Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€Π°Ρ…, Ρ…ΠΎΠ»ΠΎΠ΄ΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΈΠΊΠ°Ρ…, источниках бСспСрСбойного элСктропитания, ΠΌΡƒΠ·Ρ‹ΠΊΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Ρ…, радиоуправляСмых ΠΈΠ³Ρ€ΡƒΡˆΠΊΠ°Ρ…. Вранзисторы Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π² любой элСктронной Π°ΠΏΠΏΠ°Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅, ΠΈ послСднСС врСмя всС большС Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ транзисторы с ΠΏΠ»Π°Π½Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΌΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΆΠΎΠΌ Π½Π° ΠΏΠ»Π°Ρ‚Ρƒ (SMD), Π° транзисторы со ΡˆΡ‚Ρ‹Ρ€Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅.

[Π§Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ SPDT, SPST, DPST, DPDT]

АббрСвиатура Π Π°ΡΡˆΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΊΠ°
Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹
ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Π’Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎΠ±Ρ€ΠΈΡ‚Π°Π½ΠΈΠΈ ΠžΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² БША ОписаниС ГрафичСский символ
SPST Single pole, single throw One-way Two-way ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π΄Π²Π° полоТСния – Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΎ. Π”Π²Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π»ΠΈΠ±ΠΎ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ, Π»ΠΈΠ±ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ освСщСния.
SPDT Single pole, double throw Two-way Three-way ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ. ΠžΠ±Ρ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ C (COM, Common) соСдиняСтся Π»ΠΈΠ±ΠΎ с ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ L1, Π»ΠΈΠ±ΠΎ с L2.
SPCO
SPTT
Single pole changeover ΠΈΠ»ΠΈ Single pole, triple throw Β  Β  По ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌ Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ SPDT. НСкоторыС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Ρ€Π΅Π»Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ SPCO/SPTT для обозначСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ срСднСС, Ρ†Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ всС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Ρ‹ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹.
DPST Double pole, single throw Double pole Double pole Π’ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π΄Π²Π΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ SPST, управляСмыС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠΌ.
DPDT Double pole, double throw Β  Β  Π’ΠΎ ΠΆΠ΅ самоС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΈ Π΄Π²Π΅ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π½Ρ‹Ρ… Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹ SPDT, управляСмыС ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌ ΠΌΠ΅Ρ…Π°Π½ΠΈΠ·ΠΌΠΎΠΌ.
DPCO Double pole changeover ΠΈΠ»ΠΈ Double pole, centre off Β  Β  По ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌ эквивалСнтно DPDT. НСкоторыС ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ DPCO для обозначСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… срСднСС, Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅.
Β  Β  Intermediate switch Four-way switch ΠŸΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ DPDT, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ соСдинСниС ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ мСняСт ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ΄Π²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ.

[Бсылки]

1. How Electronic Switches Work For Noobs: Relays and Transistors site:instructables.com.
2. usb-Relay – малСнькоС USB-устройство, ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ€Π΅Π»Π΅.
3. Вранзистор – это просто. ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠ΅ Π²ΠΈΠ΄Π΅ΠΎΡƒΡ€ΠΎΠΊΠΈ, ΠΎΠ±ΡŠΡΡΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ².
4. Доступ ΠΊ ΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π°ΠΌ I/O AVR Π½Π° языкС C (GCC, WinAVR).
5. Как Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ транзисторы MOSFET.

microsin.net

PNP ΠΈ NPN транзисторы | ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠ°Ρ элСктроника

PNP ΠΈ NPN транзисторы β€” это Π΄Π²Π° Π²ΠΈΠ΄Π° биполярных транзисторов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π½ΡƒΡŽ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ. О Π½ΠΈΡ… ΠΌΡ‹ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π· ΠΈ ΠΏΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠΌ Π² этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅.

Из ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΎΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠΈ ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ ΡƒΠ·Π½Π°Π»ΠΈ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ P-N ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠΌΠΈ свойствами ΠΎΠ½ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚. Как Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, P-N ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ пропускаСт элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π’ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ Π±Π»ΠΎΠΊΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Β 

Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ€ΠΈΡ возникновСния

На Π΄Π²ΠΎΡ€Π΅ стоял послСвоСнный 1947 Π³ΠΎΠ΄. Π”Π΅ΠΊΠ°Π±Ρ€ΡŒ. Π₯ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎ, Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ΄Π½ΠΎ, Тутко…  Но Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π΅ Π² Π»Π°Π±ΠΎΡ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΈΠΈ Bell Labs!Β  Π’Ρ€ΠΎΠ΅ ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Ρ…: Π”ΠΆΠΎΠ½ Π‘Π°Ρ€Π΄ΠΈΠ½, Уильям Π¨ΠΎΠΊΠ»ΠΈ ΠΈ Π£ΠΎΠ»Ρ‚Π΅Ρ€ Π‘Ρ€Π°Ρ‚Ρ‚Π΅ΠΉΠ½, бились Π½Π°Π΄ радиоэлСмСнтом, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²Π΅Ρ€Π½ΡƒΠ» вСсь ΠΌΠΈΡ€ с Π½ΠΎΠ³ Π½Π° Π³ΠΎΠ»ΠΎΠ²Ρƒ!Β  16 дСкабря 1947 Π³ΠΎΠ΄Π°Β  ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°Π·Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄Π½Π΅ΠΌ Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ роТдСния элСктроники! Π”Π°, Ρ‡Π΅Ρ€Ρ‚ ΠΏΠΎΠ±Π΅Ρ€ΠΈ! Π’ этот дСнь Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠΈΡ€Ρƒ Π±Ρ‹Π» продСмонстрирован биполярный транзистор.

ИмСнно биполярный транзистор сотворил Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ»ΡŽΡ†ΠΈΡŽ Π² элСктроникС. Обладая ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ свойствами (ΠΌΡ‹ ΠΎΠ± этом Π΅Ρ‰Π΅ с Π²Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠΌ), ΠΎΠ½ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ» собой элСктронныС Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сдСлало элСктронику Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½Π΅Π΅, мобильнСС ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ°ΠΊΡ‚Π½Π΅Π΅. Π‘Π΅Π· Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ изобрСтСния, ΠΊΠ°ΠΊ транзистор, ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ Π΄ΠΎ сих ΠΏΠΎΡ€ Π±Ρ‹ ΠΆΠΈΠ»ΠΈ Π±Π΅Π· ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€ΠΎΠ², ΠΌΠΎΠ±ΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Ρ‚Π΅Π»Π΅Ρ„ΠΎΠ½ΠΎΠ², ΠΏΠ»Π°Π½ΡˆΠ΅Ρ‚ΠΎΠ² ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½ΠΎΠΉ элСктронной ΠΌΠ΅Π»ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΊΠΈ.Β 

Β 

Π’Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅Π΅ строСниС биполярных транзисторов

ΠŸΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΡ‹ бСсСдовали Π² ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»Ρ‹Ρ… ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ…? Π”Π°-Π΄Π°, ΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°Ρ… P ΠΈ N Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ± ΠΈΡ… совмСстном воздСйствии, ΠΈ Π² ΠΈΡ‚ΠΎΠ³Π΅Β  Ρƒ нас получался радиоэлСмСнт Π΄ΠΈΠΎΠ΄.

А ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π±Ρ‹ Π½Π°ΠΌ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ с Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, ΠΊΠ°ΠΊ слСва? Π‘ΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ β€” сдСлано! Ну Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΆΠ΅, ΠΏΡ€ΠΎΡˆΡƒ Π»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ ΠΆΠ°Π»ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ! ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΡΡ Π‘Π˜ΠŸΠžΠ›Π―Π ΠΠ«Π™ Π’Π ΠΠΠ—Π˜Π‘Π’ΠžΠ !Β 

Если Ρ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ слСва-Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ справа-Π½Π°Π»Π΅Π²ΠΎ, ΠΈΠ· ΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΎΠ½ состоит, Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ ΠΎΠ½ проводимости. Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, транзистор Π½Π° рисуночкС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ Ρƒ нас проводимости P-N-P, ΠΈΠ»ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ нас говорят, прямой проводимости.

А Π²ΠΎΡ‚ Ρƒ этого транзистора ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ N-P-N ΠΈΠ»ΠΈ обратная ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ.

ΠŸΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΎΡ‡Π΅ΠΊ со срСднСго ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π° называСтся Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, Π½Ρƒ Π° ΠΏΠΎ краям эмиттСр ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€. ΠžΡ‚ΠΊΡƒΠ΄Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠ΅ названия? Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ транзистор ΠΏΡ€ΠΈΠ΄ΡƒΠΌΠ°Π»ΠΈ Π°Π½Π³Π»ΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‹, Ρ‚ΠΎ ΠΈ названия ΠΎΠ½ΠΈ Π΄Π°Π»ΠΈ ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅:

Π­ΠΌΠΈΡ‚Ρ‚Π΅Ρ€ β€”Β  Π½Π° бурТуйском Emitter β€” источник, ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€.Β  Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Ρ‡Ρ‚ΠΎ-Ρ‚ΠΎ подаСтся. Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ.

Π‘Π°Π·Π° β€” Base β€” основа. ΠšΠΎΡ€ΠΎΡ‡Π΅, самый Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄. Π Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ….

ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ β€” Collector β€” сборщик, ΡΠΎΠ±ΠΈΡ€Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ, Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊ. Он Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΊΠ°ΠΊ «собираСт» элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ.

Ну Ρ‡Ρ‚ΠΎ, тяТко? )) Как ΠΆΠ΅ Π½Π° схСмах ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ биполярныС транзисторы? ΠœΡ‹ Ρ€Π°Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°Π»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΒ  ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ транзисторы прямой ΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости, Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ ΠΈ Π½Π° схСмах ΠΎΠ½ΠΈ Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ обозначатся совсСм ΠΏΠΎ-Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌΡƒ.Β 

БхСмотСхничСскоС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ P-N-P транзистора, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ транзистора прямой проводимости

Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π³Π»ΡΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ:

А схСмотСхничСскоС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ транзистора ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ проводимости ΠΈΠ»ΠΈ N-P-N транзистора

Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π²Ρ‹Π³Π»ΡΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π²ΠΎΡ‚ Ρ‚Π°ΠΊ:

Π’Β  старинных совСтских схСмах транзисторы Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΈΡΡŒ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ T, Π²Β  соврСмСнных схСмах ΠΎΠ½ΠΈ ΡƒΠΆΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π±ΡƒΠΊΠ²Π°ΠΌΠΈ VT. Как Π½Π΅Ρ‚Ρ€ΡƒΠ΄Π½ΠΎ Π΄ΠΎΠ³Π°Π΄Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ со стрСлочкой β€” это эмиттСр.

Как Π½Π΅ ΠΏΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π² проводимостях транзистора ΠΈ Π² ΠΈΡ… схСмотСхничСских изобраТСниях? Π’ΡƒΡ‚ всС просто. Как Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρƒ нас ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ, Π° Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ зарядом, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ½ΠΈ со Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌ «плюс».

ΠŸΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ N-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° содСрТит большоС количСство элСктронов, Π° элСктроны β€” это ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ частицы со Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌ «минус». Как Π²Ρ‹ ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΡ‚Π΅, элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ «плюса» ΠΊ «минусу». Π‘Ρ‚Ρ€Π΅Π»ΠΊΠ° эмиттСра ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ двиТСния элСктричСского Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ;-). Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, Ссли Ρƒ нас Π±Π°Π·Π° состоит ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° P-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, стрСлка эмиттСра Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π° ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹, Ссли ΠΆΠ΅ Π±Π°Π·Π° ΠΈΠ· N-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°, Ρ‚ΠΎ стрСлка эмиттСра Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½Π° Π² Π±Π°Π·Ρƒ. ВсС просто ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΆΠ΄Ρ‹ Ρ‚Ρ€ΠΈ))).

Как ΠΆΠ΅ Π² Ρ€Π΅Π°Π»Π΅ выглядят транзисторы? Уууу…. Ρ‚ΡƒΡ‚ фантазиям Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ² Π½Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°. НиТС Ρ„ΠΎΡ‚Ρ‹ самых распространСнных корпусов транзисторов:

Но! Π˜ΠΌΠ΅ΠΉΡ‚Π΅ Π²Π²ΠΈΠ΄Ρƒ! Если Π²Π°ΠΌ попался радиоэлСмСнт Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ корпусС β€” это  Π½Π΅ ΠΎΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ транзистор! Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈ тиристор, ΠΈΒ  диодная сборка ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΉ стабилизатор напряТСн  ия, ΠΈΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠ³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ. Как ΠΆΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π° Ρ€Π°ΡΠΏΠΎΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ транзистор? Об этом ΠΌΡ‹ с Π²Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠΌ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅β€¦

ΠŸΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ β€”β€”->

<β€”β€”-ΠŸΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰Π°Ρ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΡ

www.ruselectronic.com

Ρ‡Ρ‚ΠΎ это Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅? ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠ° транзисторов

Π’ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ Π²Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Π΅Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€ΠΎ транзисторы MOSFET, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это, ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚. Π•ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, Ρƒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ элСктричСски ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΡ‚ основного Ρ‚ΠΎΠΊΠ° нСсущСго ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. И поэтому называСтся ΠΎΠ½ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. НаиболСС распространСнным Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠ°Ρ… элСктронных схСм, называСтся ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-оксид-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ Π½Π° основС ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠ΅ МОП-транзистор (сокращСнная Π°Π±Π±Ρ€Π΅Π²ΠΈΠ°Ρ‚ΡƒΡ€Π° этого элСмСнта).

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ MOSFET транзисторы?

МОП-транзистор прСдставляСт собой управляСмый напряТСниСм ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ отличаСтся ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ “ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-оксид” элСктрод Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ элСктричСски ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΎΡ‚ основного ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΏ-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΌ слоСм ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°. Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, это диоксид крСмния (Π° Ссли ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅, Ρ‚ΠΎ стСкло).

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ мСталличСский элСктрод Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ΄Π½Ρƒ пластину кондСнсатора. Π˜Π·ΠΎΠ»ΡΡ†ΠΈΡ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ сопротивлСниС МОП-транзистора Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ высоким, практичСски бСсконСчным.

Как ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅, МОП-транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС. ΠœΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ Π½Π°ΠΊΠ°ΠΏΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ большоС количСство статичСского заряда, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΆΠ΄Π΅Π½ΠΈΡŽ, Ссли Ρ‚Ρ‰Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ Π·Π°Ρ‰ΠΈΡ‰Π΅Π½Ρ‹ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ.

ΠžΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ ΠœΠžΠ‘Π€Π•Π’ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

ОсновноС ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ МОП-транзисторы Π²Ρ‹ΠΏΡƒΡΠΊΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π΄Π²ΡƒΡ… основных Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ°Ρ…:

  1. Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‰Π΅Π½ΠΈΠ΅ – транзистор Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ устройства Π² ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ “ΠžΡ‚ΠΊΠ»”. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ истощСния МОП-транзистора эквивалСнтно “Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ.
  2. НасыщСниС – транзистор Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ устройство. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ усилСния МОП-транзистора эквивалСнтно ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ‚ΠΎΡ€Ρƒ с “Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Ρ‹ΠΌΠΈ” ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π°ΠΌΠΈ.

ГрафичСскиС обозначСния транзисторов Π½Π° схСмах

Линия ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ соСдинСниями стока ΠΈ истока прСдставляСт собой ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π». Если Π½Π° схСмС, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½Ρ‹ MOSFET транзисторы, ΠΎΠ½Π° прСдставлСна ΠΆΠΈΡ€Π½ΠΎΠΉ сплошной Π»ΠΈΠ½ΠΈΠ΅ΠΉ, Ρ‚ΠΎ элСмСнт Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ истощСния. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΈΠ· стока ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ с Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Если линия ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° ΠΏΡƒΠ½ΠΊΡ‚ΠΈΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π»ΠΎΠΌΠ°Π½Π½ΠΎΠΉ, Ρ‚ΠΎ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ с Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. НаправлСниС стрСлки ΡƒΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ Π½Π° проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π», Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ отСчСствСнныС транзисторы ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Π΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ.

Базовая структура MOSFET транзистора

ΠšΠΎΠ½ΡΡ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ†ΠΈΡ MOSFET (Ρ‡Ρ‚ΠΎ это, рассказано Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎ) ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ отличаСтся ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ…. Оба Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ элСктричСскоС ΠΏΠΎΠ»Π΅, создаваСмоС напряТСниСм Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ носитСлСй заряда, элСктронов для ΠΏ-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈΠ»ΠΈ отвСрстия для Ρ€-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· полупроводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π» сток-исток. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‰Π΅Π½ Π½Π° Π²Π΅Ρ€ΡˆΠΈΠ½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΌ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ слоСм, ΠΈ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Ρ€Π° Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… областСй ΠΏ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ сток ΠΈ исток элСктродов.

ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ устройства Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° для МОП-транзистора Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ Π½Π΅ примСняСтся. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡ‚ΡŒ с Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ МОП-транзистора источник сигнала Π² любой полярности (ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ). Π‘Ρ‚ΠΎΠΈΡ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π°Ρ‰Π΅ Π²ΡΡ‚Ρ€Π΅Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΈΠΌΠΏΠΎΡ€Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ транзисторы, Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»ΠΈ ΠΈΡ… отСчСствСнныС Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ.

Π­Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ MOSFET устройства особСнно Ρ†Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Π² качСствС элСктронных ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ логичСских ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π΅Π· воздСйствия ΠΈΠ·Π²Π½Π΅ ΠΎΠ½ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, Π½Π΅ проводят Ρ‚ΠΎΠΊ. И ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° этому высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ малСнький ΠΈΠ»ΠΈ нСсущСствСнный ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌ для МОП-транзисторов. Π’Π΅Π΄ΡŒ ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой устройства, управляСмыС ΠΈΠ·Π²Π½Π΅ напряТСниСм.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ истощСния МОП-транзистора

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ истощСния встрСчаСтся Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠ΅, Π½Π΅ΠΆΠ΅Π»ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ усилСния Π±Π΅Π· прилоТСния напряТСния смСщСния ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ. Π’ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ “Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚”. На схСмах ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ сплошная линия для обозначСния Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠ³ΠΎ проводящСго ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°.

Для ΠΏ-канального МОП-транзистора истощСния, ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‰Π°Ρ‚ΡŒ (ΠΎΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅) проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π» своих свободных элСктронов транзистора. Аналогично для Ρ€-канального МОП-транзистора ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€-исток, Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ‰Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π» своих свободных Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΠΊ, пСрСвСдя устройство Π² нСпроводящСС состояниС. А Π²ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ·Π²ΠΎΠ½ΠΊΠ° транзистора Π½Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹.

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° истощСния ΠΏ-канального МОП-транзистора:

  1. ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° стокС ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ большСС количСство элСктронов ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.
  2. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚ мСньшС элСктронов ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ утвСрТдСния Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π²Π΅Ρ€Π½Ρ‹ ΠΈ для транзисторов Ρ€-ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ истощСния МОП-транзистора эквивалСнтно “Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌΡƒ” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ.

N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ МОП-транзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ истощСния

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ истощСния МОП-транзистора построСн Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΆΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Ρƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. ΠŸΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π» сток-исток – это проводящий слой с элСктронами ΠΈ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ присутствуСт Π² ΠΏ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΠ»ΠΈ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°Ρ…. Π’Π°ΠΊΠΎΠ΅ Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° создаСт проводящий ΠΏΡƒΡ‚ΡŒ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ стоком ΠΈ источника с Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ тСстСр транзисторов, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ провСсти Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΈ напряТСний Π½Π° Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ усилСния МОП-транзистора

Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ распространСнным Ρƒ транзисторов MOSFET являСтся Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ усилСния, ΠΎΠ½ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° истощСния. Π—Π΄Π΅ΡΡŒ проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π» слаболСгированный ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Π½Π΅Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ нСпроводящим. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ устройство Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ покоя Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ (ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС смСщСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ). На схСмах для обозначСния МОП-транзисторов Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π»ΠΎΠΌΠ°Π½ΡƒΡŽ линию, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠ°Π½Π°Π».

Для ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ N-канального МОП-транзистора Ρ‚ΠΎΠΊ стока Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ‚Π΅Ρ‡ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° напряТСниС Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ прикладываСтся ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΊ ΠΏ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° MOSFET (Ρ‡Ρ‚ΠΎ это, Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, описаны Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅) ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π»Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ большСС количСство элСктронов Π² Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ оксидного слоя Π²ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠ³ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, Ρ‚Π΅ΠΌ самым увСличивая усилСниС (ΠΎΡ‚ΡΡŽΠ΄Π° Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅) Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, позволяя свободнСС ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ.

ΠžΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° усилСния

Π£Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π²Ρ‹Π·ΠΎΠ²Π΅Ρ‚ появлСниС сопротивлСния Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅. Π­Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ тСстСр транзисторов, ΠΎΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ†Π΅Π»ΠΎΡΡ‚Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ дальнСйший рост, Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° стока. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° усилСния ΠΏ-канального МОП-транзистора:

  1. ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сигнал транзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² проводящий Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ.
  2. ΠžΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΠΈΠ΅ сигнала ΠΈΠ»ΠΈ ΠΆΠ΅ Π΅Π³ΠΎ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² нСпроводящий Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистор. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ усилСния МОП-транзистор эквивалСнтСн “Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΠΎΠΌΡƒ” ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŽ.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Π΅ утвСрТдСния справСдливы для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² усилСния Ρ€-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… МОП-транзисторов. ΠŸΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ напряТСнии устройство Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Β«Π’Ρ‹ΠΊΠ»Β» ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ значСния ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ Ρ€-Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρƒ MOSFET ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠ², пСрСводя Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Β«Π’ΠΊΠ»Β». ΠŸΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡ тСстСр (Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ стрСлочный). Π’ΠΎΠ³Π΄Π° для Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° усилСния Ρ€-канального МОП-транзистора:

  1. ΠŸΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ сигнал ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ транзистор Β«Π’Ρ‹ΠΊΠ»Β».
  2. ΠžΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ транзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Β«Π’ΠΊΠ»Β».

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ усилСния N-канального МОП-транзистора

Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ усилСния МОП-транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π² проводящСм Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΈ Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎ высокоС Π² нСпроводящСм. Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΡ… бСсконСчно высокоС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠΈΠ·-Π·Π° ΠΈΡ… ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° усилСния транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах для получСния Ρ‚ΠΈΠΏΠ° КМОП логичСских Π²Π΅Π½Ρ‚ΠΈΠ»Π΅ΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ силовых Ρ†Π΅ΠΏΠ΅ΠΉ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ PMOS (P-ΠΊΠ°Π½Π°Π») ΠΈ NMOS (N-ΠΊΠ°Π½Π°Π») Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ². CMOS – это ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ»Π΅ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€Π½Ρ‹ΠΉ МОП Π² Ρ‚ΠΎΠΌ смыслС, Ρ‡Ρ‚ΠΎ это логичСскоС устройство ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ PMOS, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ NMOS Π² своСй конструкции.

Π£ΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Π½Π° MOSFET

Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅, транзисторы MOSFET ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Π½Ρ‹ для изготовлСния усилитСлСй класса «А». Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ усилитСлСй с N-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ МОП-транзистором ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ исходного Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° усилСния, являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ популярной. На МОП-транзисторах усилитСли Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обСднСния ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠΈ Π½Π° схСмы с использованиСм ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π·Π° ΠΈΡΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ MOSFET (Ρ‡Ρ‚ΠΎ это, ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΈΠΏΡ‹ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚, рассмотрСно Π²Ρ‹ΡˆΠ΅) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высокий Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс.

Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ импСданс управляСтся ΠΏΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ рСзистивной Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ, ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ рСзисторами R1 ΠΈ R2. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал для ΠΎΠ±Ρ‰Π΅Π³ΠΎ источника усилитСля Π½Π° транзисторах MOSFET Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ усилСния инвСртируСтся, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ транзистора Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ, имСя Π² арсСналС Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ лишь тСстСр (Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ стрСлочный). ΠŸΡ€ΠΈ высоком Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии транзистор Π²ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ напряТСниС ΠΊΡ€Π°ΠΉΠ½Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ΅.

fb.ru

Π§Ρ‚ΠΎ собой ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы / Π¨ΠΊΠΎΠ»Π° элСктрика / ΠšΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Π±Π»ΠΎΠ³

ПолСвой транзистор (Π°Π½Π³Π». field-effect transistor, FET) β€” это ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ радиоэлСмСнт, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ измСняСтся Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ дСйствия пСрпСндикулярного Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ элСктричСского поля, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ создаётся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом.

Π‘Ρ…Π΅ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠΎΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ.

ВсСго сущСствуСт Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹Ρ… схСмы ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов: с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ истоком (ОИ), ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ стоком (ОБ) ΠΈ ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠžΠ—).

Как ΠΊΠ»Π°ΡΡΠΈΡ„ΠΈΡ†ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы?

ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы дСлятся Π½Π° 2 Π³Ρ€ΡƒΠΏΠΏΡ‹. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΡƒΡŽ входят транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ€-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» β€” ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ (Π±Π°Ρ€ΡŒΠ΅Ρ€ Π¨ΠΎΡ‚Ρ‚ΠΊΠΈ), Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ β€” транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ посрСдством ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктрода (Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°), Ρ‚. Π½. транзисторы ΠœΠ”ΠŸ (ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π» β€” диэлСктрик β€” ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ).

Π§Ρ‚ΠΎ собой ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ транзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ?

Вранзисторы с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой транзисторы, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ (Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½ Π² элСктричСском ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ) ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ смСщён Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ.

Π­Ρ‚ΠΈ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° Π½Π΅Π²Ρ‹ΠΏΡ€ΡΠΌΠ»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° ΠΊ области, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ управляСмый Ρ‚ΠΎΠΊ основных носитСлСй заряда, ΠΈ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Π²Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ… элСктронно-Π΄Ρ‹Ρ€ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, смСщённых Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ (см. рисунок).

Когда измСняСтся ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, Ρ‚ΠΎ, происходит ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ области, ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ управляСмый Ρ‚ΠΎΠΊ. Π’Π° ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ, Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ сСчСниС ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ управляСтся внСшним напряТСниСм Π½Π° ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΌ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅, ΠΈ ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ управляСмый Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄, ΠΈΠ· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π» Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ истоком (Source). Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄, Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΡƒΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ элСктричСский Ρ‚ΠΎΠΊ, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ стоком (Drain). Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ осущСствляСт Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ сСчСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°, называСтся Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (Gate).

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ², n-, ΠΈΠ»ΠΈ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎ элСктропроводности ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы дСлятся Π½Π° транзисторы с n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΈ Ρ€-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. ΠŸΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΠΈ напряТСний смСщСния, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° элСктроды транзисторов с n- ΠΈ с p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹.

Π£ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока, Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΎΡ‚ внСшнСго источника питания Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, происходит ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ измСнСния ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° (ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° Π΄Π²ΡƒΡ… p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ… ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ). Π’ связи с нСбольшой Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, нСобходимая для управлСния Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока ΠΈ потрСбляСмая ΠΎΡ‚ источника сигнала Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°, оказываСтся ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ сущСствСнноС усилСниС элСктромагнитных ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎ мощности, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ΠΈ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ.

МоТно ΡΠΊΠ°Π·Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΏΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΡƒ дСйствия ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π΅Π½ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Ρƒ. Π˜ΡΡ‚ΠΎΠΊ Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π°, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ β€” сСткС, сток β€” Π°Π½ΠΎΠ΄Ρƒ. Но, Ρ‚Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ сущСствСнныС отличия ΠΎΡ‚ Π²Π°ΠΊΡƒΡƒΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈΠΎΠ΄Π°.
Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Π½Π΅ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ³Ρ€Π΅Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΊΠ°Ρ‚ΠΎΠ΄.
Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, Ρ„ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ истока, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ стока, ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· этих элСктродов.
Ну ΠΈ Π²-Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΡ…, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΊΠ°ΠΊ с n-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ с p-ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ. Π­Ρ‚ΠΎ позволяСт ΡΠΎΡ‡Π΅Ρ‚Π°Ρ‚ΡŒ эти Π΄Π²Π° Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π² схСмах.

Π§Π΅ΠΌ ΠΆΠ΅ отличаСтся ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор ΠΎΡ‚ биполярного?

Π˜Π·Π²Π΅ΡΡ‚Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Ρ‘ ΠΈ биполярныС, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅, ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ отличия ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ….
Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор отличаСтся ΠΎΡ‚ биполярного, ΠΏΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏΠΎΠΌ дСйствия: Π² биполярном транзисторС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сигналом производится Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π° Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС β€” Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм ΠΈΠ»ΠΈ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ.
Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большиС Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ сопротивлСния, Ρ‡Π΅ΠΌ биполярныС. Π­Ρ‚ΠΎ связано с ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΌ смСщСниСм p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π² рассматриваСмом Ρ‚ΠΈΠΏΠ΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов.
Π’-Ρ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒΠΈΡ…, ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ Π½Π° ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ΠΌ ΡˆΡƒΠΌΠ° (особСнно Π½Π° Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… частотах), Ρ‡Π΅ΠΌ биполярныС, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ явлСниС ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠΈ нСосновных носитСлСй заряда ΠΈ ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½ ΠΎΡ‚ повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ кристалла. ΠŸΡ€ΠΎΡ†Π΅ΡΡΡ‹ Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΈ носитСлСй Π² p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π² Π±Π°Π·Π΅ биполярного транзистора, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎ-Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹Π΅ процСссы Π½Π° повСрхности кристалла ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΡΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠΆΠ΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ низкочастотных ΡˆΡƒΠΌΠΎΠ².

Π§Ρ‚ΠΎ собой ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы)?

Рис. 2. Устройство ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

ПолСвой транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ β€” это ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ транзистор, Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½ Π² элСктричСском ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΡ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° слоСм диэлСктрика.

Π’ кристаллС ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° с ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ высоким ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ, созданы Π΄Π²Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ области с ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ проводимости. На эти области нанСсСны мСталличСскиС элСктроды β€” исток ΠΈ сток. РасстояниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ сильно Π»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ областями истока ΠΈ стока ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ½Π°. ΠŸΠΎΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ кристалла ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком ΠΏΠΎΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚Π° Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΌ слоСм (порядка 0,1 ΠΌΠΊΠΌ) диэлСктрика. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ исходным ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠΌ для ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ являСтся ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΉ, Ρ‚ΠΎ Π² качСствС диэлСктрика ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ слой двуокиси крСмния SiO2, Π²Ρ‹Ρ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π° повСрхности кристалла крСмния ΠΏΡƒΡ‚Ρ‘ΠΌ высокотСмпСратурного окислСния. На слой диэлСктрика нанСсён мСталличСский элСктрод β€” Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ структура, состоящая ΠΈΠ· ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»Π°, диэлСктрика ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ°. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ часто Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторами.

Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС Π² качСствС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠœΠ”ΠŸ транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ.

Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 1010…1014 Ом (Ρƒ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ 107…109), Ρ‡Ρ‚ΠΎ являСтся прСимущСством ΠΏΡ€ΠΈ построСнии высокоточных устройств.

Π‘ΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΄Π²Π΅ разновидности ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов: с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΈ со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ.

Π’ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (рис. 2, Π°) проводящий ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌΠΈ областями истока ΠΈ стока отсутствуСт ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ стока появляСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΉ полярности ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм (UΠ—Π˜ΠΏΠΎΡ€).

Π’ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ (рис. 2, Π±) Ρƒ повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока сущСствуСт инвСрсный слой β€” ΠΊΠ°Π½Π°Π», ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ соСдиняСт исток со стоком.

Π˜Π·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΡ‘Π½Π½Ρ‹Π΅ Π½Π° рис. 2 структуры ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΡƒ с ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Π΅ области ΠΏΠΎΠ΄ истоком ΠΈ стоком, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈ встроСнный ΠΊΠ°Π½Π°Π» ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Если ΠΆΠ΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ транзисторы созданы Π½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠ΅ с ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ p-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°, Ρ‚ΠΎ ΠΊΠ°Π½Π°Π» Ρƒ Π½ΠΈΡ… Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ ΡΠ»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ n-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°.

Π§Ρ‚ΠΎ собой ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ?

ΠŸΡ€ΠΈ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ истока, Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠΌ Π½ΡƒΠ»ΡŽ, ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° стокС, β€” Ρ‚ΠΎΠΊ стока оказываСтся Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ. Он прСдставляСт собой ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΎΠΉ ΠΈ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΠ»Π΅Π³ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒΡŽ стока. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π΅ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (для структуры, ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рис. 2, Π°) Π² Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ проникновСния элСктричСского поля Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· диэлСктричСский слой Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… напряТСниях Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (ΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ… UΠ—Π˜ΠΏΠΎΡ€) Ρƒ повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΎΠ±Π΅Π΄Π½Ρ‘Π½Π½Ρ‹ΠΉ основными носитСлями слой эффСкт поля ΠΈ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΎΠ±ΡŠΡ‘ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ заряда, состоящая ΠΈΠ· ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… нСскомпСнсированных примСсных Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠΎΠ². ΠŸΡ€ΠΈ напряТСниях Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… UΠ—Π˜ΠΏΠΎΡ€, Ρƒ повСрхности ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ° ΠΏΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ инвСрсный слой, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΈ являСтся ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ, ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠΌ исток со стоком. Π’ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΈ ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ сСчСниС ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅, соотвСтствСнно Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ стока, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠ³ΠΎ источника питания. Π’Π°ΠΊ происходит ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока Π² ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ транзисторС с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ.

Π’ связи с Ρ‚Π΅ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»Ρ‘Π½ ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ диэлСктричСским слоСм, Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π», ΠΌΠ°Π»Π° ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, потрСбляСмая ΠΎΡ‚ источника сигнала Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° ΠΈ нСобходимая для управлСния ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ стока. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠœΠ”ΠŸ-транзистор с ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ усилСниС элСктромагнитных ΠΊΠΎΠ»Π΅Π±Π°Π½ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΈ ΠΏΠΎ мощности.

ΠŸΡ€ΠΈΠ½Ρ†ΠΈΠΏ усилСния мощности Π² ΠœΠ”ΠŸ-транзисторах ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Ρ€Π°ΡΡΠΌΠ°Ρ‚Ρ€ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ носитСлями заряда энСргии постоянного элСктричСского поля (энСргии источника питания Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ) ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΌΡƒ элСктричСскому полю. Π’ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторС Π΄ΠΎ возникновСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ всё напряТСниС источника питания Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ стока ΠΏΠ°Π΄Π°Π»ΠΎ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ истоком ΠΈ стоком, создавая ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΏΠΎΡΡ‚ΠΎΡΠ½Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰ΡƒΡŽ напряТённости элСктричСского поля. Под дСйствиСм напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ Π² ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚ ΠΊΠ°Π½Π°Π», ΠΏΠΎ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌΡƒ ΠΎΡ‚ истока ΠΊ стоку двиТутся носитСли заряда β€” Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ. Π”Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ, двигаясь ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ постоянной ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ элСктричСского поля, Ρ€Π°Π·Π³ΠΎΠ½ΡΡŽΡ‚ΡΡ этим ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ ΠΈ ΠΈΡ… энСргия увСличиваСтся Π·Π° счёт энСргии источника питания, Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ стока. ΠžΠ΄Π½ΠΎΠ²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎ с Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ½ΠΎΠ²Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° ΠΈ появлСниСм Π² Π½Ρ‘ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄Π²ΠΈΠΆΠ½Ρ‹Ρ… носитСлСй заряда ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ напряТСниС Π½Π° стокС, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ³Π½ΠΎΠ²Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ элСктричСского поля Π² ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π΅ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎ постоянной ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠΈ тормозятся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ элСктричСским ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ, отдавая Π΅ΠΌΡƒ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ своСй энСргии.
ΠœΠ”ΠŸ-транзисторы со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ
Рис. 3. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ статичСскиС характСристики (a) ΠΈ статичСскиС характСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ (b) ΠœΠ”ΠŸ-транзистора со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ.
Π’ Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΉ схСмС Π² качСствС Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ³ΠΎ элСмСнта ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠœΠ”ΠŸ транзистор с ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ ΠΈΠ½Π΄ΡƒΡ†ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ.

Π’ связи с Π½Π°Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ΠΌ встроСнного ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π² Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΌ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторС ΠΏΡ€ΠΈ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠΌ напряТСнии Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ (см. рис. 2, Π±) ΠΏΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ‡Π½ΠΎΠ΅ сСчСниС ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ полярности. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, ΠœΠ”ΠŸ-транзистор со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π² Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…: Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обогащСния ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обСднСния ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π° носитСлями заряда. Π­Ρ‚Π° ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠœΠ”ΠŸ-транзисторов со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ отраТаСтся ΠΈ Π½Π° смСщСнии Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… статичСских характСристик ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅ ΠΈ Π΅Π³ΠΎ полярности (рис. 3).

БтатичСскиС характСристики ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ (рис. 3, b) выходят ΠΈΠ· Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π½Π° оси абсцисс, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ отсСчки UΠ—Π˜ΠΎΡ‚Ρ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ истоком ΠœΠ”ΠŸ-транзистора со встроСнным ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ обСднСния, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ стока достигаСт Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ³ΠΎ значСния.

Π€ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρ‹ расчёта I_c\,\! Π² зависимости ΠΎΡ‚ напряТСния UΠ—Π˜

1. Вранзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ U_{3u} < U_{nop}\,\!

I_c=0\,\!

ΠŸΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠœΠ”ΠŸ транзистора U_{nop}=1.5B\,\!

2. ΠŸΠ°Ρ€Π°Π±ΠΎΠ»ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈΠΉ участок. U_{3u} > U_{nop}\,\!

I_c=K_n[(U_{3u}-U_{nop})U_{cu} – \frac{U_{cu}^2}{2}]\,\!

K_n\,\!-ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ характСристики транзистора.

3. Π”Π°Π»ΡŒΠ½Π΅ΠΉΡˆΠ΅Π΅ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ U_{3u} ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρƒ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ.

I_c=\frac{K_n}{2}[U_{3u}-U_{nop}]^2\,\! β€” Π£Ρ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π₯овстайна.

ΠœΠ”ΠŸ-структуры ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ назначСния

Π’ структурах Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄-оксид-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ (МНОП) диэлСктрик ΠΏΠΎΠ΄ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ выполняСтся двухслойным: слой оксида SiO2 ΠΈ толстый слой Π½ΠΈΡ‚Ρ€ΠΈΠ΄Π° Si3N4. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ слоями ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π»ΠΎΠ²ΡƒΡˆΠΊΠΈ элСктронов, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ МНОП-структуры ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (28..30 Π’) Π·Π°Ρ…Π²Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΡƒΠ½Π½Π΅Π»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΈΠΉ слой SiO2 элСктроны. ΠžΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ заряТСнныС ΠΈΠΎΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ°ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Ρ‘ΠΌ ΠΈΡ… заряд ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π»Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΈ отсутствии питания, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ слой SiO2 ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΡƒ заряда. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‡Π΅ Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ большого ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (28…30 Π’), Π½Π°ΠΊΠΎΠΏΠ»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ заряд рассасываСтся, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сущСствСнно ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС.

Π‘Ρ‚Ρ€ΡƒΠΊΡ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ΠΌΠ΅Ρ‚Π°Π»Π»-оксид-ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊ (МОП) с ΠΏΠ»Π°Π²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ Π»Π°Π²ΠΈΠ½Π½ΠΎΠΉ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅ΠΊΡ†ΠΈΠ΅ΠΉ (Π›Π˜Π—ΠœΠžΠŸ) ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΈΠ· поликристалличСского крСмния, ΠΈΠ·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΎΡ‚ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… частСй структуры. Π›Π°Π²ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ p-n-ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΏΠΎΠ΄Π»ΠΎΠΆΠΊΠΈ ΠΈ стока ΠΈΠ»ΠΈ истока, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ подаётся высокоС напряТСниС, позволяСт элСктронам ΠΏΡ€ΠΎΠ½ΠΈΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· слой окисла Π½Π° Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, вслСдствиС Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π° Π½Ρ‘ΠΌ появляСтся ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ заряд. Π˜Π·ΠΎΠ»ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ свойства диэлСктрика ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΡΡ‚ΡŒ этот заряд дСсятки Π»Π΅Ρ‚. Π£Π΄Π°Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ элСктричСского заряда с Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° осущСствляСтся с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΈΠΎΠ½ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΎΠ»Π΅Ρ‚ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ облучСния ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ Π»Π°ΠΌΠΏΠ°ΠΌΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈ этом Ρ„ΠΎΡ‚ΠΎΡ‚ΠΎΠΊ позволяСт элСктронам Ρ€Π΅ΠΊΠΎΠΌΠ±ΠΈΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ с Π΄Ρ‹Ρ€ΠΊΠ°ΠΌΠΈ.

Π’ дальнСйшСм Π±Ρ‹Π»ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ структуры Π·Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с Π΄Π²ΠΎΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. ВстроСнный Π² диэлСктрик Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ для хранСния заряда, ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ состояниС ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Π° внСшний (ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ) Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€, управляСмый разнополярными ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ°ΠΌΠΈ для Π²Π²ΠΎΠ΄Π° ΠΈΠ»ΠΈ удалСния заряда Π½Π° встроСнном (Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½Π΅ΠΌ) Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π΅. Π’Π°ΠΊ появились ячСйки, Π° Π·Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΈ микросхСмы Ρ„Π»ΡΡˆ-памяти, ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠ΅ Π² наши Π΄Π½ΠΈ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ ΠΏΠΎΠΏΡƒΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΠ²ΡˆΠΈΠ΅ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡƒΡ€Π΅Π½Ρ†ΠΈΡŽ ТСстким дискам Π² ΠΊΠΎΠΌΠΏΡŒΡŽΡ‚Π΅Ρ€Π°Ρ….

Для Ρ€Π΅Π°Π»ΠΈΠ·Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСм (Π‘Π‘Π˜Π‘) Π±Ρ‹Π»ΠΈ созданы ΡΠ²Π΅Ρ€Ρ…ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠ°Ρ‚ΡŽΡ€Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ микротранзисторы. Они Π΄Π΅Π»Π°ΡŽΡ‚ΡΡ с ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Π½Π°Π½ΠΎΡ‚Π΅Ρ…Π½ΠΎΠ»ΠΎΠ³ΠΈΠΉ с гСомСтричСским Ρ€Π°Π·Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 100 Π½ΠΌ. Π£ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Π° ΠΏΠΎΠ΄Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ диэлСктрика Π΄ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π°Ρ‚ΠΎΠΌΠ½Ρ‹Ρ… слоСв. Π˜ΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅, Π² Ρ‚ΠΎΠΌ числС Ρ‚Ρ€Π΅Ρ…Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½Ρ‹Π΅ структуры. ΠŸΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Π’ соврСмСнных микропроцСссорах ΠΊΠΎΡ€ΠΏΠΎΡ€Π°Ρ†ΠΈΠΈ Intel число ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ² составляСт ΠΎΡ‚ дСсятков ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠΎΠ½ΠΎΠ² Π΄ΠΎ 2 ΠΌΠΈΠ»Π»ΠΈΠ°Ρ€Π΄ΠΎΠ². НовСйшиС ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ микротранзисторы Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° напряТСнном ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠΈ, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ мСталличСский Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ ΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π·Π°ΠΏΠ°Ρ‚Π΅Π½Ρ‚ΠΎΠ²Π°Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π» для ΠΏΠΎΠ΄Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ диэлСктрика Π½Π° основС соСдинСний гафния.[1]

Π’ послСдниС Ρ‡Π΅Ρ‚Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΡŒ Π²Π΅ΠΊΠ° Π±ΡƒΡ€Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΡ‚ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠ»ΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы, Π² основном ΠœΠ”ΠŸ-Ρ‚ΠΈΠΏΠ°. Они состоят ΠΈΠ· мноТСства ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… структур ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ· структур с Ρ€Π°Π·Π²Π΅Ρ‚Π²Π»Ρ‘Π½Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΠ΅ΠΉ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π’Π§ ΠΈ Π‘Π’Π§ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Π²ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΈ созданы Π² Π‘Π‘Π‘Π  спСциалистами НИИ Β«ΠŸΡƒΠ»ΡŒΡΠ°Ρ€Β» Π‘Π°Ρ‡ΡƒΡ€ΠΈΠ½Ρ‹ΠΌ Π’. Π’. (ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹) ΠΈ ВаксСмбургом Π’. Π―. (арсСнид-Π³Π°Π»Π»ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹) ИсслСдованиС ΠΈΡ… ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… свойств Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΎ Π½Π°ΡƒΡ‡Π½ΠΎΠΉ школой ΠΏΡ€ΠΎΡ„. Π”ΡŒΡΠΊΠΎΠ½ΠΎΠ²Π° Π’. П. (БмолСнский Ρ„ΠΈΠ»ΠΈΠ°Π» МЭИ). Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π»ΠΎ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚ΠΊΠΈ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Ρ… (ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ…) ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов со ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ структурами, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΡ… высокиС Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ (Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π΄ΠΎ 500β€”1000 Π’ ΠΈ 50-100 А). Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Ρ‹ Π½Π΅Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌΠΈ (Π΄ΠΎ 5 Π’) напряТСниями, ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ сопротивлСниС Π² ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΠΎΠΌ состоянии (Π΄ΠΎ 0,01 Ом) Ρƒ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½ΠΎΡ‚ΠΎΡ‡Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠ², Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΡƒΡŽ ΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΠ·Π½Ρƒ ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Π΅ (Π² Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹-дСсятки нс) Π²Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ. Π£ Π½ΠΈΡ… отсутствуСт явлСниС накоплСния носитСлСй Π² структурС ΠΈ явлСниС насыщСния, ΠΏΡ€ΠΈΡΡƒΡˆΠ΅Π΅ биполярным транзисторам. Благодаря этому ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΡΠ½ΡΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ биполярныС транзисторы Π² области силовой элСктроники ΠΌΠ°Π»ΠΎΠΉ ΠΈ срСднСй мощности.[2][3]

Π—Π° Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠΎΠΌ Π² послСдниС дСсятилСтия ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ развиваСтся тСхнология транзисторов Π½Π° высокоподвиТных элСктронах (Π’Π’ΠŸΠ­), ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Π‘Π’Π§ устройствах связи ΠΈ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ½Π°Π±Π»ΡŽΠ΄Π΅Π½ΠΈΡ. На основС Π’Π’ΠŸΠ­ ΡΠΎΠ·Π΄Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ Π³ΠΈΠ±Ρ€ΠΈΠ΄Π½Ρ‹Π΅, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½Ρ‹Π΅ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»Π½ΠΎΠ²Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ схСмы (Π°Π½Π³Π».)). Π’ основС дСйствия Π’Π’ΠŸΠ­ Π»Π΅ΠΆΠΈΡ‚ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π΄Π²ΡƒΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ элСктронного Π³Π°Π·Π°, ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ создаётся ΠΏΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π° благодаря ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ Π³Π΅Ρ‚Π΅Ρ€ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° ΠΈ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ³ΠΎ диэлСктричСского слоя β€” спСйсСра.

ΠžΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΠΈ примСнСния ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов

Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΡ‹Ρ… Π² настоящий ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Π² состав КМОП-структур, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ строятся ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов с ΠΊΠ°Π½Π°Π»Π°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ³ΠΎ (p- ΠΈ n-) Ρ‚ΠΈΠΏΠ° проводимости ΠΈ ΡˆΠΈΡ€ΠΎΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах.

Π—Π° счёт Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΠ»Π΅ΠΌ (Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ напряТСния ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊ Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Ρƒ), Π° Π½Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·Ρƒ (ΠΊΠ°ΠΊ Π² биполярных транзисторах), ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС энСргии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ особСнно Π°ΠΊΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π² схСмах ΠΆΠ΄ΡƒΡ‰ΠΈΡ… ΠΈ слСдящих устройств, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ Π² схСмах ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ³ΠΎ потрСблСния ΠΈ энСргосбСрСТСния (рСализация спящих Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ²).

Π’Ρ‹Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ΡΡ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρ‹ устройств, построСнных Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах, β€” Π½Π°Ρ€ΡƒΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΊΠ²Π°Ρ€Ρ†Π΅Π²Ρ‹Π΅ часы ΠΈ ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡ‚ дистанционного управлСния для Ρ‚Π΅Π»Π΅Π²ΠΈΠ·ΠΎΡ€Π°. Π—Π° счёт примСнСния КМОП-структур эти устройства ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΎ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… Π»Π΅Ρ‚, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ практичСски Π½Π΅ ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±Π»ΡΡŽΡ‚ энСргии.

Π“Ρ€Π°Π½Π΄ΠΈΠΎΠ·Π½Ρ‹ΠΌΠΈ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ°ΠΌΠΈ Ρ€Π°Π·Π²ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ области примСнСния ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Ρ… ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов. Π˜Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… устройствах позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½Π½ΡƒΡŽ чистоту спСктра ΠΈΠ·Π»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌΡ‹Ρ… радиосигналов, ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π°Π΄Ρ‘ΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‚Ρ‡ΠΈΠΊΠΎΠ². Π’ силовой элСктроникС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΈ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΡΠ½ΡΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ биполярныС транзисторы. Π’ силовых прСобразоватСлях ΠΎΠ½ΠΈ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΡΡŽΡ‚ Π½Π° 1-2 порядка ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡΠΈΡ‚ΡŒ частоту прСобразования ΠΈ Ρ€Π΅Π·ΠΊΠΎ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π³Π°Π±Π°Ρ€ΠΈΡ‚Ρ‹ ΠΈ массу энСргСтичСских ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Π’ устройствах большой мощности ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ биполярныС транзисторы с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (IGBT) ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ Π²Ρ‹Ρ‚Π΅ΡΠ½ΡΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ тиристоры. Π’ усилитСлях мощности Π·Π²ΡƒΠΊΠΎΠ²Ρ‹Ρ… частот Π²Ρ‹ΡΡˆΠ΅Π³ΠΎ класса HiFi ΠΈ HiEnd ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы ΡƒΡΠΏΠ΅ΡˆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹Π΅ элСктронныС Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌΠΈ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΈ динамичСскими искаТСниями.

По ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°ΠΌ Π’ΠΈΠΊΠΈ.

44kw.com

Вранзистор

Π”ΠΎΠ±Ρ€ΠΎΠ³ΠΎ дня ΡƒΠ²Π°ΠΆΠ°Π΅ΠΌΡ‹Π΅ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ!
ΠŸΡ€ΠΈΠ²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽ вас Π½Π° сайтС β€œΠ Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒβ€œ

На этом занятии Π¨ΠΊΠΎΠ»Ρ‹ Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ€Π°Π΄ΠΈΠΎΠ»ΡŽΠ±ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡΒ ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€ΠΎΠ΄ΠΎΠ»ΠΆΠΈΠΌ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ². На ΠΏΡ€ΠΎΡˆΠ»ΠΎΠΌ занятии ΠΌΡ‹ рассматривали Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹, Π° Π½Π° этом занятии рассмотрим Β Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТный ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ элСмСнт – транзисторы.

Вранзистор являСтся Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ слоТной ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠΉ структурой, Ρ‡Π΅ΠΌ Π΄ΠΈΠΎΠ΄. Он состоит ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… слоСв крСмния (Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΈ Π³Π΅Ρ€ΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы) с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ структуры Ρ‚ΠΈΠΏΠ° n-p-n ΠΈΠ»ΠΈ p-n-p. Π€ΡƒΠ½ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ транзисторов, Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ², основываСтся Π½Π° свойствах p-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ².

Π¦Π΅Π½Ρ‚Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ, ΠΈΠ»ΠΈ срСдний слой, Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (Π‘), Π° Π΄Π²Π° Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… соотвСтствСнно – эмиттСр (Π­)Β ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ (К). Β Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ сущСствСнной Ρ€Π°Π·Π½ΠΈΡ†Ρ‹ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ двумя Ρ‚ΠΈΠΏΠ°ΠΌΠΈ транзисторов Π½Π΅Ρ‚, ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ схСмы ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ собраны с Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΈΠ»ΠΈ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌ Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠΌ, ΠΏΡ€ΠΈ соблюдСнии ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ полярности источника питания. На рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΎ схСмноС ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ транзисторов, транзистор p-n-p отличаСтся ΠΎΡ‚ транзистора n-p-n Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ стрСлки эмиттСра:

Π’Ρ‹Π΄Π΅Π»ΡΡŽΡ‚ Π΄Π²Π° основных Ρ‚ΠΈΠΏΠ° транзисторов: биполярныС ΠΈ униполярныС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ конструктивным особСнностям. Π’ Ρ€Π°ΠΌΠΊΠ°Ρ… ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° сущСствуСт ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ разновидностСй. Π“Π»Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ этих Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² транзисторов Π·Π°ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ процСссами, происходящими Π² Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Π² биполярном транзисторС осущСствляСтся Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π° Π² униполярном транзисторС – Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ напряТСниСм.

БиполярныС транзисторы, ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠΆΠ΅ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ собой слоСнный ΠΏΠΈΡ€ΠΎΠ³ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… слоСв. Π’ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²ΠΈΠ΄Π΅ транзистор ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄Π²Π° встрСчно Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ²:

(ΠΏΡ€ΠΈ этом, слСдуСт ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π° – эмиттСр прСдставляСт собой ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΉ стабилитрон, напряТСниС стабилизации ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ 7…10 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚). Π˜ΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ ΠΈΡΠΏΡ€Π°Π²Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ΠΎΠΌ, измСряя сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π΅Π³ΠΎ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ. ΠŸΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹, Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΡΡ Π² Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π² транзисторС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ способ для ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΊΠΈ транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ часто. Если ΠΎΠΌΠΌΠ΅Ρ‚Ρ€ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ эмиттСрным Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·Ρ€Ρ‹Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ (ΠΏΡ€ΠΈ исправном транзисторС), Ρ‡Ρ‚ΠΎ СстСствСнно Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Ρ‹ встрСчно. А это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ любой полярности ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΈΠ· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ΠΎΠ² Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π° Π²Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ, поэтому Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚.

ОбъСдинСниС Π΄Π²ΡƒΡ… ΠΏΠ°Ρ€ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠ² ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡΠ²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽΒ Ρ‡Ρ€Π΅Π·Π²Ρ‹Ρ‡Π°ΠΉΠ½ΠΎΒ ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠ½ΠΎΠ³ΠΎ свойства, ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡƒΠ΅ΠΌΠΎΠ³ΠΎ транзисторным эффСктом. Если ΠΊ транзистору ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС, Ρ‚ΠΎΠΊΠ° практичСски Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ (ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΈ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΎΡΡŒ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅). Если ΠΆΠ΅ произвСсти ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π² соотвСтствии со схСмой (ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рисункС Π½ΠΈΠΆΠ΅), Π³Π΄Π΅ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰Π΅Π΅ сопротивлСниС (Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ²Ρ€Π΅Π΄ΠΈΡ‚ΡŒ транзистор) подаСтся напряТСниС, Ρ‚ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΡΠΈΠ»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‡Π΅ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Ρ‚ΠΎΠΆΠ΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ.

Π‘ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π° ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠ² Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€ΠΈΡ‚ΡŒ простым способом. Если ΡΠΎΡ…Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС питания, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ 4,5 Π’, ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΠ² Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ сопротивлСния Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ с R Π΄ΠΎ R/2, Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ удвоится, ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ увСличится ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ:

U=4,5 Π’; сопротивлСниС =RU=4,5 Π’; сопротивлСниС =R/2
Iб=1 мАIб=2 мА
Iэ=100 мАIэ=200 мА
Iк=99 мАIк=198 мА

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ любом напряТСниС Π½Π° сопротивлСниС R, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π² 99 Ρ€Π°Π· большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΉ 99. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, транзистор усиливаСт Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π² 99 Ρ€Π°Π·. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ коэффициСнт ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°ΡŽΡ‚ Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉΒ ?. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹:

? = IΠΊ/IΠ±

На Π±Π°Π·Ρƒ транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС. Но, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π» Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅. Для Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ функционирования Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистору слСдуСт ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ постоянноС напряТСниС смСщСния ΠΈ подвСсти ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ транзисторы ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‚ слабыС напряТСния, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ ΠΊ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Ρƒ с ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΡ„ΠΎΠ½Π°, Π΄ΠΎ уровня, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ способСн привСсти Π² дСйствиС Π³Ρ€ΠΎΠΌΠΊΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ. Если коэффициСнт усилСния Π½Π΅ достаточСн, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько транзисторов ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΡ… ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… каскадов. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ соСдинСнии каскадов Π½Π΅ Π½Π°Ρ€ΡƒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠΎΠ² Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· Π½ΠΈΡ… ΠΏΠΎ постоянному Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ ( ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ… обСспСчиваСтся Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ), ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ кондСнсаторы. БиполярныС транзисторы ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ элСктричСскими характСристиками, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ ΠΈΠΌ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ прСимущСства ΠΏΠΎ ΡΡ€Π°Π²Π½Π΅Π½ΠΈΡŽ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Π°ΠΌΠΈ.

Как ΠΌΡ‹ ΡƒΠΆΠ΅ Π·Π½Π°Π΅ΠΌ, ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Π΅Ρ‰Π΅ (ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ биполярных) ΠΈ униполярныС транзисторы. ΠšΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ рассмотрим Π΄Π²Π° ΠΈΡ… Π½ΠΈΡ… – ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы. Как ΠΈ биполярныС ΠΎΠ½ΠΈ Π±Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ… Ρ‚ΠΈΠΏΠΎΠ² ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΠΎ Ρ‚Ρ€ΠΈ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°:

Π­Π»Π΅ΠΊΡ‚Ρ€ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторов ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ: Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€ – Π—, сток – Π‘, ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ ΠΈ исток – И, отоТдСствляСмый с эмиттСром. ΠŸΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Π΅ транзисторы с n- ΠΈ p- ΠΊΠ°Π½Π°Π»ΠΎΠΌ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΡŽ стрСлки Π·Π°Ρ‚Π²ΠΎΡ€Π°. ΠžΠ΄Π½ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ транзисторы, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π΄Π²ΡƒΡ…Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, Π² основном ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² схСмах Π³Π΅Π½Π΅Ρ€Π°Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ… пСриодичСских сигналов.

Π˜ΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ΡΡ Ρ‚Ρ€ΠΈ Ρ„ΡƒΠ½Π΄Π°ΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмы Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ транзисторов Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ каскадС:

? с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром (Π°)

? с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ (Π±)

? с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ (Π²)

Биполярный транзистор, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сопротивлСния источника питания R1 ΠΈ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ RΠ½ усиливаСт Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал ΠΈ ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ, ΠΈ ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния биполярного транзистора обозначаСтся ΠΊΠ°ΠΊ h31э (читаСтся: аш-Π΄Π²Π°-ΠΎΠ΄ΠΈΠ½-э, Π³Π΄Π΅ э – схСма с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром), ΠΈ Ρƒ ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠ³ΠΎ транзистора ΠΎΠ½ Ρ€Π°Π·Π½Ρ‹ΠΉ. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° коэффициСнта h31э (Π΅Π³ΠΎ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΠ΅ Π½Π°Π·Π²Π°Π½ΠΈΠ΅ – статичСский коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ h31э) зависит Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»Ρ‰ΠΈΠ½Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ транзистора (Π΅Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ нСльзя) ΠΈ ΠΎΡ‚ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, поэтому ΠΏΡ€ΠΈ нСбольшом напряТСнии (ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ 20 Π’) Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π΄Π°Ρ‡ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΏΡ€ΠΈ любом Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° практичСски Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ ΠΈ Π½Π΅Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ увСличиваСтся ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅.

ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ – ΠšΡƒΡ.i ΠΈ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ – ΠšΡƒΡ.u биполярного транзистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром, зависит ΠΎΡ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ (Π½Π° схСмС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ RΠ½) ΠΈ источника сигнала (Π½Π° схСмС ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ R1). Если сопротивлСниС источника сигнала Π²Β h31э Ρ€Π°Π·Π° мСньшС сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ мСньшС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹ (0,95…0,99), Π° коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Ρ€Π°Π²Π΅Π½Β h31э. Когда сопротивлСниС источника сигнала Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Β h31э раза мСньшС сопротивлСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ, Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ остаСтся Π½Π΅ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ (Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌΒ h31э), Π° коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ. Если ΠΆΠ΅, Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚, Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ сопротивлСниС ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‚ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ становится большС Π΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ†Ρ‹, Π° коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр транзистора Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π½Π΅ измСняСтся. Π‘Ρ…Π΅ΠΌΠ° с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром – СдинствСнная схСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ биполярного транзистора, которая Ρ‚Ρ€Π΅Π±ΡƒΠ΅Ρ‚ ограничСния Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ (ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ) Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. МоТно ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ нСсколько Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ΠΎΠ²: – Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ транзистора Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ сгорит ΠΈΠ»ΠΈ транзистор, ΠΈΠ»ΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π°Ρ ΠΈΠΌ схСма; – с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ транзистора, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎ схСмС ОЭ, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡΠΎΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½ΠΎΠΉ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΎΠΉ Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π½Ρ‹ΠΌ источником сигнала. Π§Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ, Π° ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π΅Ρ‚ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии Π±Π°Π·Π°-эмиттСр всСго 0,8…1,5 Π’. Если Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° (напряТСниС) большС этого значСния – Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ транзистора ΠΈ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΎΠΌ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмы Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ рСзистор (R1). Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ сопротивлСниС ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Π°ΠΌ:

Ir1=IrΠ½/h31э Β  Β  Β  Β  Β  Β R1=UΡƒΠΏΡ€/Ir1 Β  Β Π³Π΄Π΅:

IrΠ½ – Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΡƒ, А; UΡƒΠΏΡ€ – напряТСниС источника сигнала, Π’; R1 – сопротивлСниС рСзистора, Ом.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½Π° ΠΎΡΠΎΠ±Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы с ОЭ – ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр транзистора ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ практичСски ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ нуля. Но для этого Π½Π°Π΄ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ‹Π³ΠΎΠ΄Π½ΠΎ. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзисторов ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² ΠΈΠΌΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠ½Ρ‹Ρ…, Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹Ρ… схСмах.

Вранзистор, Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² схСмС усилитСля Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала, Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ усилСниС сигналов с Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠΉ Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄ΠΎΠΉ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ β€œΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅Π³ΠΎβ€ напряТСния. Для этого Π΅Π³ΠΎ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΊΠΎ β€œΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒβ€, ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Ρ€Π°Π²ΡˆΠΈΡΡŒ Π½Π΅ β€œΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π±ΠΎΡ€Ρ‰ΠΈΡ‚ΡŒβ€. Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· рисунка Π½ΠΈΠΆΠ΅ (Π»Π΅Π²Ρ‹ΠΉ):

Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° транзисторС ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠ»Π°Π²Π½ΠΎΠΌ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π²Π½Π°Ρ‡Π°Π»Π΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ, ΠΈ лишь ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌ, с наступлСниСм насыщСния транзистора, ΠΏΡ€ΠΈΠΆΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊ осям Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°. Нас ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ прямыС части Π»ΠΈΠ½ΠΈΠΉ (Π΄ΠΎ насыщСния) – ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠΈΠΌΠ²ΠΎΠ»ΠΈΠ·ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠ΅ усилСниС сигнала, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΈ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² нСсколько Ρ€Π°Π· Π²ΠΎ ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΆΠ΅ Ρ€Π°Π· измСнится ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (напряТСниС Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅).

Π€ΠΎΡ€ΠΌΠ° Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ (справа). Как Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎ ΠΈΠ· Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°, Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π° сигнала постоянно ΠΏΡƒΠ»ΡŒΡΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ΠΊΠΎΠ΅Π³ΠΎ срСднСго напряТСния Uср, ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ ΠΎΠ½Π° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡŒΡΡ. Но биполярный транзистор Ρ€Π΅Π°Π³ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π½Π° ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (Π²Π΅Ρ€Π½Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°). Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄: Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ минимальной Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала Π±Ρ‹Π» Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠΆΠΊΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚. ΠŸΡ€ΠΈ срСднСй Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Π΅ Uср ΠΎΠ½ откроСтся Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ сильнСС, Π° ΠΏΡ€ΠΈ максимальной Umax откроСтся максимально. Но ΠΏΡ€ΠΈ этом ΠΎΠ½ Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния (см.рис. Π²Ρ‹ΡˆΠ΅) – Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ пСрСстаСт Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ Π·Π°Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ, Π² слСдствии Ρ‡Π΅Π³ΠΎ происходит сильноС искаТСниС сигнала.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΠΌΡΡ снова ΠΊ Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΠ΅ Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ сигнала. Π’Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ максимальная ΠΈ минимальная Π°ΠΌΠΏΠ»ΠΈΡ‚ΡƒΠ΄Ρ‹ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ срСднСй ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹ ΠΏΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ (ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½Ρ‹ ΠΏΠΎ Π·Π½Π°ΠΊΡƒ), Ρ‚ΠΎ Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ постоянный Ρ‚ΠΎΠΊ (Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния – Iсм), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ β€œΡΡ€Π΅Π΄Π½Π΅ΠΌβ€ напряТСнии Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ транзистор Π±Ρ‹Π» ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ Ρ€ΠΎΠ²Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρƒ. Π’ΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистор Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Ρ‚ΡΡ, Π° ΠΏΡ€ΠΈ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΎΠ½ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ Π΅Ρ‰Π΅ сильнСС.



radio-stv.ru


Π”ΠΎΠ±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠΎΠΌΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Ρ€ΠΈΠΉ

Π’Π°Ρˆ адрСс email Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΎΠΏΡƒΠ±Π»ΠΈΠΊΠΎΠ²Π°Π½. ΠžΠ±ΡΠ·Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ поля ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ‡Π΅Π½Ρ‹ *